| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1029641 | Q62702-D1103 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 1029642 | Q62702-D1103 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 1029643 | Q62702-D1104 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 1029644 | Q62702-D1104 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 1029645 | Q62702-D1105 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 1029646 | Q62702-D1105 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 1029647 | Q62702-D1106 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 1029648 | Q62702-D1106 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 1029649 | Q62702-D1107 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
| 1029650 | Q62702-D1107 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
| 1029651 | Q62702-D111 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1029652 | Q62702-D111-P | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1029653 | Q62702-D111-V1 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1029654 | Q62702-D111-V2 | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1029655 | Q62702-D1258 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029656 | Q62702-D1259 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029657 | Q62702-D1262 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029658 | Q62702-D1263 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029659 | Q62702-D1264 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029660 | Q62702-D1267 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029661 | Q62702-D1268 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029662 | Q62702-D1271 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029663 | Q62702-D1272 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029664 | Q62702-D1275 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029665 | Q62702-D1276 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029666 | Q62702-D1279 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029667 | Q62702-D1280 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029668 | Q62702-D1281 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029669 | Q62702-D1284 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029670 | Q62702-D1285 | Diodes de Schottky de silicium (barrière moyenne de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse) | Siemens |
| 1029671 | Q62702-D1288 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029672 | Q62702-D1289 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029673 | Q62702-D1290 | Diodes de Schottky de silicium (barrière de rendement élevé de dimension de technologie de fil de faisceau basse basse) | Siemens |
| 1029674 | Q62702-D1316 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 1029675 | Q62702-D1321 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 1029676 | Q62702-D1322 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 1029677 | Q62702-D1323 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 1029678 | Q62702-D1335 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1029679 | Q62702-D1336 | Transistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
| 1029680 | Q62702-D1337 | Transistors de puissance d'cAf de silicium de NPN (pour des conducteurs d'cAf et le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'étapes de rendement) | Siemens |
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