| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1085601 | SDT08S60 | Diodes de Schottky de carbure de silicium - diode Å en paquet To220-2 | Infineon |
| 1085602 | SDT10S30 | Diodes de Schottky de carbure de silicium - diode 10A en paquet To220-2 | Infineon |
| 1085603 | SDT10S60 | Diodes de Schottky de carbure de silicium - diode 10A en paquet To220-2 | Infineon |
| 1085604 | SDT12S60 | Diodes de Schottky de carbure de silicium - diode de 1À en paquet To220-2 | Infineon |
| 1085605 | SDT12SF | Diode de TV | AUK Corp |
| 1085606 | SDT400 | Optocoupleur D'Entrée de C.c | Solid State Optronics |
| 1085607 | SDT40XX | Transistors De Puissance Planaires/2 Ampères de NPN | Solitron Devices |
| 1085608 | SDT452AP | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De P-Canal | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1085609 | SDT7604 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 1085610 | SDT96301 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 1085611 | SDT96305 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | SemeLAB |
| 1085612 | SDU3055L2 | 20V; 15A; 50W; À canal N en mode enchanced transistor à effet de champ | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1085613 | SDU40N03L | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De Niveau De Logique De N-Channle | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1085614 | SDU9435A | 30V; 10A; 2.5W; À canal N en mode enchanced transistor à effet de champ | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1085615 | SDU9916 | Transistor de ffect de l'ield E du mode F de nhancement du N-Canal E | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1085616 | SDUD40N03L | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De Niveau De Logique De N-Channle | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1085617 | SDV251S | Diode Variable De Capacité | AUK Corp |
| 1085618 | SDV703WK | Diode Variable De Capacité | AUK Corp |
| 1085619 | SDV708D | Diode Variable De Capacité | AUK Corp |
| 1085620 | SDV708Q | Diode Variable De Capacité | AUK Corp |
| 1085621 | SDW80S600 | 65ns diode rapide de rétablissement, 600V Vrrm, 80A Si, 1.5V crête de tension directe | SemiWell Semiconductor |
| 1085622 | SE | LE TYPE SENSIBLE THERMIQUE ORGANIQUE DE GRANULE 10 AMPÈRES A ÉVALUÉ LE COURANT | NEC |
| 1085623 | SE-126 | Sony Ericsson rapporte l'augmentation forte des ventes et des expéditions pour ses deux secteurs d'activité de noyau GM/M et normes japonaises | SONY |
| 1085624 | SE-17010 | Panneau de Se pour la série d'cUpd1700x | NEC |
| 1085625 | SE-17012 | Comité d'évaluation d'cUpd17012gf | NEC |
| 1085626 | SE-17015 | Panneau de Se UPD17015 | NEC |
| 1085627 | SE-17072 | Panneau de Se (comité d'évaluation de système) | NEC |
| 1085628 | SE-17225 | commande du series(remote 17K) | NEC |
| 1085629 | SE-17709 | Pour UPD17709, UPD17708 et UPD17707 | NEC |
| 1085630 | SE-70000 | Analyseur d'autobus de BIDON (réseau de région de contrôleur) soutenant PCMCIA | NEC |
| 1085631 | SE-B3 | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085632 | SE005 | Amplificateur ICs D'Erreurs | Sanken |
| 1085633 | SE005N | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085634 | SE012N | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085635 | SE015N | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085636 | SE024N | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085637 | SE034N | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085638 | SE040N | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085639 | SE070N | IC D'Amplificateur D'Erreurs | Sanken |
| 1085640 | SE080 | Amplificateur ICs D'Erreurs | Sanken |
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