| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1143241 | SS3C | REDRESSEURS RAPIDES SUPERBES DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
| 1143242 | SS3C | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT DE BÂTI EXTÉRIEUR | GOOD-ARK Electronics |
| 1143243 | SS3D | REDRESSEURS RAPIDES SUPERBES DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
| 1143244 | SS3D | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT DE BÂTI EXTÉRIEUR | GOOD-ARK Electronics |
| 1143245 | SS3E | REDRESSEURS RAPIDES SUPERBES DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
| 1143246 | SS3E | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT DE BÂTI EXTÉRIEUR | GOOD-ARK Electronics |
| 1143247 | SS3G | REDRESSEURS RAPIDES SUPERBES DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
| 1143248 | SS3G | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT DE BÂTI EXTÉRIEUR | GOOD-ARK Electronics |
| 1143249 | SS3H10 | Redresseurs Extérieurs À haute tension De Barrière De Schottky De Bâti, Tension Inverse 100V, Courant Vers l'avant 3.0A | Vishay |
| 1143250 | SS3H9 | Redresseurs Extérieurs À haute tension De Barrière De Schottky De Bâti, Tension Inverse 90V, Courant Vers l'avant 3.0A | Vishay |
| 1143251 | SS3J | REDRESSEURS RAPIDES SUPERBES DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
| 1143252 | SS3J | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT DE BÂTI EXTÉRIEUR | GOOD-ARK Electronics |
| 1143253 | SS3K | REDRESSEURS RAPIDES SUPERBES DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
| 1143254 | SS3K | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT DE BÂTI EXTÉRIEUR | GOOD-ARK Electronics |
| 1143255 | SS3M | REDRESSEURS RAPIDES SUPERBES DE BÂTI EXTÉRIEUR | EIC discrete Semiconductors |
| 1143256 | SS3M | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT DE BÂTI EXTÉRIEUR | GOOD-ARK Electronics |
| 1143257 | SS466A | Sondes De Position De Numérique | Honeywell Sensing |
| 1143258 | SS8050 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143259 | SS8050 | TRANSISTOR (NPN) | Wing Shing Computer Components |
| 1143260 | SS8050BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143261 | SS8050CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143262 | SS8050CTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143263 | SS8050DBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143264 | SS8050DTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143265 | SS8203 | Microcontrôleur | Siliconians |
| 1143266 | SS8550 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143267 | SS8550 | V -40, -1,5 A, le transistor épitaxiale de silicium PNP | Samsung Electronic |
| 1143268 | SS8550BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143269 | SS8550BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143270 | SS8550CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143271 | SS8550CTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143272 | SS8550DBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143273 | SS8550DTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143274 | SS9011 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143275 | SS9011 | 50 V, 30 Ma, transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 1143276 | SS9011FBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143277 | SS9011GBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143278 | SS9011HBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143279 | SS9012 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143280 | SS9012 | V -40, -500 Ma, transistor PNP épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
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