| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1196961 | TC5565AFL-12 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196962 | TC5565AFL-12 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196963 | TC5565AFL-15 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196964 | TC5565AFL-15 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196965 | TC5565APL | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196966 | TC5565APL | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196967 | TC5565APL-10 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196968 | TC5565APL-10 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196969 | TC5565APL-12 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196970 | TC5565APL-12 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196971 | TC5565APL-15 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196972 | TC5565APL-15 | mémoire à accès sélective statique de 65.536 bits organisée entant que 8.192 mots par 8 bits en utilisant la technologie de CMOS | TOSHIBA |
| 1196973 | TC558128AJ | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196974 | TC558128AJ | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196975 | TC558128AJ-15 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196976 | TC558128AJ-15 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196977 | TC558128AJ-20 | 131 072 mots de 8 bits CMOS RAM statique, 20ns de temps d'accès | TOSHIBA |
| 1196978 | TC558128BFT-12 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196979 | TC558128BFT-12 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196980 | TC558128BFT-15 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196981 | TC558128BFT-15 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196982 | TC558128BJ | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196983 | TC558128BJ | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196984 | TC558128BJ-12 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196985 | TC558128BJ-12 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196986 | TC558128BJ-15 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196987 | TC558128BJ-15 | 131.072-131,072-WORD PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 8-BIT CMOS | TOSHIBA |
| 1196988 | TC55NEM208A | SRAM - Basse Puissance | TOSHIBA |
| 1196989 | TC55NEM208A-V | SRAM - Basse Puissance | TOSHIBA |
| 1196990 | TC55NEM208AFPN | PORTE DE SILICIUM EXPÉRIMENTALE DE CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITALDE TOSHIBA CMOS | TOSHIBA |
| 1196991 | TC55NEM208AFPN | PORTE DE SILICIUM EXPÉRIMENTALE DE CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITALDE TOSHIBA CMOS | TOSHIBA |
| 1196992 | TC55NEM208AFPN55 | 524.288-MOTS PAR LA RAM DE 8-bit STATIC | TOSHIBA |
| 1196993 | TC55NEM208AFPN70 | 524.288-MOTS PAR LA RAM DE 8-bit STATIC | TOSHIBA |
| 1196994 | TC55NEM208AFTN | PORTE DE SILICIUM EXPÉRIMENTALE DE CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITALDE TOSHIBA CMOS | TOSHIBA |
| 1196995 | TC55NEM208AFTN | PORTE DE SILICIUM EXPÉRIMENTALE DE CIRCUIT INTÉGRÉ DE MOS DIGITALDE TOSHIBA CMOS | TOSHIBA |
| 1196996 | TC55NEM208AFTN55 | 524.288-MOTS PAR LA RAM DE 8-bit STATIC | TOSHIBA |
| 1196997 | TC55NEM208AFTN70 | 524.288-MOTS PAR LA RAM DE 8-bit STATIC | TOSHIBA |
| 1196998 | TC55NEM216AFTN | SRAM - Basse Puissance | TOSHIBA |
| 1196999 | TC55NEM216AFTN55 | 262.144-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| 1197000 | TC55NEM216AFTN70 | 262.144-MOTS PAR LA RAM DE CHARGE STATIQUE DE 16-bit FULL CMOS | TOSHIBA |
| | | |
