| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 17401 | 1N4448WS-T3 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 17402 | 1N4448WSF | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 17403 | 1N4448WSF-7 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 17404 | 1N4448WT | Petit Diode Signal | Fairchild Semiconductor |
| 17405 | 1N4448_T50A | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 17406 | 1N4448_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 17407 | 1N4449 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 17408 | 1N4449 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17409 | 1N4449 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17410 | 1N4449 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 17411 | 1N4449 | Commutation Plombée De Diode De Silicium | Central Semiconductor |
| 17412 | 1N4449 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17413 | 1N4449 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17414 | 1N4449 | 75 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevée | BKC International Electronics |
| 17415 | 1N4449 | Conductance élevée de diode de commutation ultra rapide. Travailler tension inverse 75 V. | Fairchild Semiconductor |
| 17416 | 1N4449 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 17417 | 1N4450 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17418 | 1N4450 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17419 | 1N4450 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 17420 | 1N4450 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17421 | 1N4450 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17422 | 1N4450 | Conductance élevée de diodes ultra rapide. Travailler tension inverse 30 V. | Fairchild Semiconductor |
| 17423 | 1N4451 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17424 | 1N4451 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17425 | 1N4451 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 17426 | 1N4451 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17427 | 1N4451 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17428 | 1N4453 | Diode De Stabistor | Microsemi |
| 17429 | 1N4453 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17430 | 1N4453 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17431 | 1N4453 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 17432 | 1N4453 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17433 | 1N4453 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17434 | 1N4454 | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | National Semiconductor |
| 17435 | 1N4454 | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 17436 | 1N4454 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 17437 | 1N4454 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17438 | 1N4454 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17439 | 1N4454 | DIODE DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 17440 | 1N4454 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
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