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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
182011N4627Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182021N4627Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182031N4627BASSE OPÉRATION COURANTE à 250 uACompensated Devices Incorporated
182041N4627500MCW BASSES DIODES ZENER DU BRUIT SILIONJinan Gude Electronic Device
182051N4627DE NIVEAU BAS DE DIODES ZENER COURANT BAS: 250¥ÌCA - BAS BRUITKnox Semiconductor Inc
182061N4627Usage universel Plombé De Diode ZenerCentral Semiconductor
182071N4627 (DO35)Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182081N4627-1Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182091N4627-1BASSE OPÉRATION COURANTE à 250 uACompensated Devices Incorporated
182101N4627C500mW à faible bruit diode Zener de silicium. Nominale 6,2 V de la tension de zener. 2% de tolérance.Jinan Gude Electronic Device
182111N4627D500mW à faible bruit diode Zener de silicium. Nominale 6,2 V de la tension de zener. Tolérance de 1%.Jinan Gude Electronic Device
182121N4627URDiode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182131N4627UR-1PAQUET DE LEADLESS POUR LE BÂTI EXTÉRIEURCompensated Devices Incorporated
182141N4627UR-1Zener régulateur de tension DiodeMicrosemi
182151N462A500 mW usage général diode 60 V de conductance élevéeBKC International Electronics
182161N462ADiode de conductance élevée à usage général. Travailler inverse 60V de tension.Fairchild Semiconductor
182171N463A175 V, 500 mW usage général diode de conductance élevéeBKC International Electronics
182181N463ADiode de conductance élevée à usage général. Travailler inverse 175V de tension.Fairchild Semiconductor



182191N464A125 V, 500 mW usage général diode de conductance élevéeBKC International Electronics
182201N4678Z-Diodes Planaires Épitaxiales De SiliciumVishay
182211N4678Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182221N4678Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182231N4678DIODES ZENERGeneral Semiconductor
182241N467850 uA, BAS COURANT d'cOpération, DIODES ZENERCompensated Devices Incorporated
182251N4678COURANT de DIODES ZENER de NIVEAU BAS Ultra-bas: 50 ¥ÌCA - BASSE FUITEKnox Semiconductor Inc
182261N4678Usage universel Plombé De Diode ZenerCentral Semiconductor
182271N4678500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener de 1,8 VMotorola
182281N4678 (DO35)Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182291N4678-D500 régulateurs de tension de verre hermétiquement scellés de mW Do-35 ZenerON Semiconductor
182301N4679Z-Diodes Planaires Épitaxiales De SiliciumVishay
182311N4679Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182321N4679Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182331N4679DIODES ZENERGeneral Semiconductor
182341N467950 uA, BAS COURANT d'cOpération, DIODES ZENERCompensated Devices Incorporated
182351N4679COURANT de DIODES ZENER de NIVEAU BAS Ultra-bas: 50 ¥ÌCA - BASSE FUITEKnox Semiconductor Inc
182361N4679Usage universel Plombé De Diode ZenerCentral Semiconductor
182371N4679500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener 2VMotorola
182381N4679 (DO35)Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
182391N4680Z-Diodes Planaires Épitaxiales De SiliciumVishay
182401N4680Diode De Régulateur De Tension De ZenerMicrosemi
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