| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 21921 | 1N5231 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 21922 | 1N5231 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 21923 | 1N5231 | 500 mW diode Zener de silicium. Nominale tension Zener de 5,1 V. | Fairchild Semiconductor |
| 21924 | 1N5231 | Pd = 500mW, Vz = 5,1V diode Zener | MCC |
| 21925 | 1N5231A | 5.1 V, 500 mW diode Zener de silicium | BKC International Electronics |
| 21926 | 1N5231A | 5,1 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21927 | 1N5231A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21928 | 1N5231A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21929 | 1N5231A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21930 | 1N5231AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 5,1 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 21931 | 1N5231B | Demi De Watt Zeners | National Semiconductor |
| 21932 | 1N5231B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21933 | 1N5231B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 21934 | 1N5231B | Diodes Zener | Diodes |
| 21935 | 1N5231B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 21936 | 1N5231B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
| 21937 | 1N5231B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 21938 | 1N5231B | Diode Zener | Formosa MS |
| 21939 | 1N5231B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 21940 | 1N5231B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
| 21941 | 1N5231B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 21942 | 1N5231B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 21943 | 1N5231B | Diodes>Zener | Renesas |
| 21944 | 1N5231B | 5.1 V, 500 mW diode Zener de silicium | BKC International Electronics |
| 21945 | 1N5231B | 5.1V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 21946 | 1N5231B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener de 5,1 V | Motorola |
| 21947 | 1N5231B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21948 | 1N5231B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21949 | 1N5231B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21950 | 1N5231B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 5.1V | Comchip Technology |
| 21951 | 1N5231B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21952 | 1N5231BLCC3 | 5.1V, diode 0,02 de référence | SemeLAB |
| 21953 | 1N5231BTR | 5.1V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21954 | 1N5231BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 5,1 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 21955 | 1N5231B_T26A | 5.1V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21956 | 1N5231B_T50A | 5.1V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21957 | 1N5231B_T50R | 5.1V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21958 | 1N5231C | 5.2V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21959 | 1N5231C | 5,1 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21960 | 1N5231CTR | 5.2V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| | | |
