| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 22801 | 1N5250B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 22802 | 1N5250B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 22803 | 1N5250B | Diodes>Zener | Renesas |
| 22804 | 1N5250B | 20.0V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 22805 | 1N5250B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener 20V | Motorola |
| 22806 | 1N5250B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 22807 | 1N5250B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 22808 | 1N5250B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 22809 | 1N5250B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 20V | Comchip Technology |
| 22810 | 1N5250B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 22811 | 1N5250BT | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 22812 | 1N5250BTR | 20V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 22813 | 1N5250BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale Zener tension 20 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 22814 | 1N5250B_T50A | 20V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 22815 | 1N5250B_T50R | 20V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 22816 | 1N5250C | 20 V, 6,2 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 22817 | 1N5250D | 20 V, 6,2 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 22818 | 1N5250UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 20 V. | Microsemi |
| 22819 | 1N5251 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 22820 | 1N5251 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 22821 | 1N5251 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 22822 | 1N5251 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 22823 | 1N5251 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 22824 | 1N5251 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 22825 | 1N5251 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 22826 | 1N5251 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 22827 | 1N5251 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 22828 | 1N5251 | 500 mW diode Zener de silicium. Nominale tension Zener de 22,0 V. | Fairchild Semiconductor |
| 22829 | 1N5251 | Pd = 500mW, Vz = 22V diode Zener | MCC |
| 22830 | 1N5251A | 22 V, 5,6 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 22831 | 1N5251A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 22832 | 1N5251A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 22833 | 1N5251A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 22834 | 1N5251AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale Zener tension 22 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 22835 | 1N5251B | Demi De Watt Zeners | National Semiconductor |
| 22836 | 1N5251B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 22837 | 1N5251B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 22838 | 1N5251B | Diodes Zener | Diodes |
| 22839 | 1N5251B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 22840 | 1N5251B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
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