| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 246761 | BAS21VD | BAS21VD; Rangée à haute tension de diode de commutation | Philips |
| 246762 | BAS21VD | Diodes de commutation haute tension | NXP Semiconductors |
| 246763 | BAS21W | Diodes De Commutation | Diodes |
| 246764 | BAS21W | Diode Extérieure De Commutation De Bâti | Comchip Technology |
| 246765 | BAS21W | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Panjit International Inc |
| 246766 | BAS21W | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | TRSYS |
| 246767 | BAS21W | Diodes de commutation haute tension | NXP Semiconductors |
| 246768 | BAS21W-7 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Diodes |
| 246769 | BAS21W-7-F | Diodes de commutation | Diodes |
| 246770 | BAS21W-T1 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 246771 | BAS21W-T3 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 246772 | BAS21WS-T1 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 246773 | BAS21WS-T3 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 246774 | BAS21_D87Z | Diode À haute tension Tout usage | Fairchild Semiconductor |
| 246775 | BAS221 | Diode tout usage | Philips |
| 246776 | BAS221A | Diode d'usage général | Philips |
| 246777 | BAS240 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 246778 | BAS28 | Double diode de vitesse élevée | Philips |
| 246779 | BAS28 | Diodes tout usage - rangée de diode de commutation de silicium pour la commutation élevée de vitesse | Infineon |
| 246780 | BAS28 | Rangée de diode de commutation de silicium pour le hig... | Infineon |
| 246781 | BAS28 | Rangée de diode de commutation de silicium (pour de hautes diodes électriquement isolées de commutation de vitesse) | Siemens |
| 246782 | BAS28 | DIODE À GRANDE VITESSE DUELLE ET D'ISOLEMENT DE COMMUTATION | Central Semiconductor |
| 246783 | BAS28 | Haute-vitesse à double diode | NXP Semiconductors |
| 246784 | BAS281 | Petites Diodes De Barrière De Schottky De Signal | Vishay |
| 246785 | BAS282 | Petites Diodes De Barrière De Schottky De Signal | Vishay |
| 246786 | BAS283 | Petites Diodes De Barrière De Schottky De Signal | Vishay |
| 246787 | BAS285 | Petite Diode De Barrière De Schottky De Signal | Vishay |
| 246788 | BAS286 | Petite Diode De Barrière De Schottky De Signal | Vishay |
| 246789 | BAS28W | Diodes tout usage - rangée de diode de commutation de silicium pour la commutation élevée de vitesse | Infineon |
| 246790 | BAS28W | Rangée De Diode De Commutation De Silicium | Infineon |
| 246791 | BAS28W | Rangée de diode de commutation de silicium (pour les diodes isolées électriques de vitesse d'applications élevées de commutation) | Siemens |
| 246792 | BAS29 | Doubles) diodes commandées tout usage d'avalanche ( | Philips |
| 246793 | BAS29 | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 246794 | BAS29 | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Jinan Gude Electronic Device |
| 246795 | BAS29 | Usage général avalanche contrôlée (double) de diodes | NXP Semiconductors |
| 246796 | BAS29_D87Z | Diode À haute tension Tout usage | Fairchild Semiconductor |
| 246797 | BAS31 | Doubles) diodes commandées tout usage d'avalanche ( | Philips |
| 246798 | BAS31 | Diode Tout usage À haute tension | National Semiconductor |
| 246799 | BAS31 | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 246800 | BAS31 | De Diode D'usage universel En séries Duelle D'Commandé-Avalanche | Vishay |
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