| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 247481 | BAT17W | DIODES DE SCHOTTKY | General Semiconductor |
| 247482 | BAT17W | Diode du silicium rf Schottky pour le mélangeur... | Infineon |
| 247483 | BAT17W | Diodes de Schottky de silicium (pour des applications de mélangeur dans le VHF/gamme À FRÉQUENCE ULTRA-haute pour des applications élevées de commutation de vitesse) | Siemens |
| 247484 | BAT17WS | Diodes De Schottky | Vishay |
| 247485 | BAT17WS | DIODES DE SCHOTTKY | General Semiconductor |
| 247486 | BAT18 | diode de Bande-commutation | Philips |
| 247487 | BAT18 | Diode De Commutation Du Silicium Rf | Infineon |
| 247488 | BAT18 | Diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247489 | BAT18 | - diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247490 | BAT18 | Diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247491 | BAT18 | - diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247492 | BAT18 | - diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247493 | BAT18 | - diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247494 | BAT18 | diode de commutation de bande | NXP Semiconductors |
| 247495 | BAT18-04 | Diodes de GOUPILLE - bas commutateur de perte | Infineon |
| 247496 | BAT18-04 | Diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247497 | BAT18-05 | Diodes de GOUPILLE - bas commutateur de perte | Infineon |
| 247498 | BAT18-05 | Diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247499 | BAT18-06 | Diode De Commutation Du Silicium Rf | Infineon |
| 247500 | BAT18-06 | Diode de commutation du silicium rf (commutateur low-loss de VHF/uhf au-dessus de diode de goupille de 10 mégahertz avec la basse résistance vers l'avant) | Siemens |
| 247501 | BAT20J | COMMUTATION DE RENDEMENT ÉLEVÉ ET DIODE COURANTE DE SCHOTTKY DE FUITE ULTRA BASSE | ST Microelectronics |
| 247502 | BAT20JFILM | COMMUTATION DE RENDEMENT ÉLEVÉ ET DIODE COURANTE DE SCHOTTKY DE FUITE ULTRA BASSE | ST Microelectronics |
| 247503 | BAT240A | Diodes de Schottky - diode de redresseur d'cAf Schottky de silicium | Infineon |
| 247504 | BAT240A | Diode de Schottky de silicium (diode de Schottky de redresseur pour la tension inverse élevée d'applications de modem pour l'alimentation d'énergie) | Siemens |
| 247505 | BAT254 | Diode de barrière de Schottky | Philips |
| 247506 | BAT30 | diode de Schottky de silicium (détecteur de rf, mélangeur de basse puissance, Zerobias, capacité très basse, pour des fréquences jusqu'à 25 gigahertz) | Siemens |
| 247507 | BAT30 | Diodes petits signaux de Schotky | ST Microelectronics |
| 247508 | BAT30CWFILM | Diodes petits signaux de Schotky | ST Microelectronics |
| 247509 | BAT30F3 | Barrière de Schottky, Signal Schottky | ST Microelectronics |
| 247510 | BAT30F4 | Signal petites diodes Schottky | ST Microelectronics |
| 247511 | BAT30KFILM | Diodes petits signaux de Schotky | ST Microelectronics |
| 247512 | BAT30SWFILM | Diodes petits signaux de Schotky | ST Microelectronics |
| 247513 | BAT32 | Diode De Schottky De Silicium | Siemens |
| 247514 | BAT38 | DIODE DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE SILICIUM | Advanced Semiconductor |
| 247515 | BAT38 | DIODE DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE SILICIUM | Advanced Semiconductor |
| 247516 | BAT38 | DIODE DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE SILICIUM | Advanced Semiconductor |
| 247517 | BAT400 | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE BÂTI DE LA SURFACE 0.Ä | Diodes |
| 247518 | BAT400D | Redresseurs De Schottky | Diodes |
| 247519 | BAT400D | | Taiwan Semiconductor |
| 247520 | BAT400D-7 | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE BÂTI DE LA SURFACE 0.Ä | Diodes |
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