|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
249721BC239TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
249722BC239Transistors D'AmplificateurMotorola
249723BC2390.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249724BC239Transistor. les applications de commutation et d'amplification. Tension collecteur-base VCBO = 30V. Tension collecteur-émetteur VCEO = 25V. Tension émetteur-base Vebo = 6V. Collector dissipation Pc (max) = 500 mW. Courant de collecteur IUSHA India LTD
249725BC239ABUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
249726BC239ATATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
249727BC239B0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited
249728BC239BBUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
249729BC239BTATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
249730BC239CTransistors D'AmplificateurMotorola
249731BC239CSilicium NPN De TransistorON Semiconductor
249732BC239C0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 380 HFE -Continental Device India Limited
249733BC239CBUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
249734BC239CTATransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
249735BC243APUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
249736BC251SILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249737BC251ASILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249738BC251BSILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola



249739BC251CSILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249740BC252SILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249741BC252ASILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249742BC252BSILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249743BC252CSILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249744BC256SILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249745BC256ASILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249746BC256BSILICIUM DES TRANSISTORS PNP D'CAmplificateurMotorola
249747BC257TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249748BC258TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249749BC259TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249750BC261TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE HAUT DE GAIN DE PNP BAS SILICIUM DE BRUITMicro Electronics
249751BC262TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE HAUT DE GAIN DE PNP BAS SILICIUM DE BRUITMicro Electronics
249752BC263TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE HAUT DE GAIN DE PNP BAS SILICIUM DE BRUITMicro Electronics
249753BC264Transistors à effet de champ De Jonction De la Manche De NMicro Electronics
249754BC264Transistors à effet de champ De Jonction De la Manche De NPhilips
249755BC264FET De NSemeLAB
249756BC27TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR DARLINGTONDiodes
249757BC297CONDUCTEURS AUDIOST Microelectronics
249758BC297CONDUCTEURS AUDIOST Microelectronics
249759BC297V (CES): 50V; V (CEO): 45V; V (EBO): 5V; 1A; pilote audioSGS Thomson Microelectronics
249760BC298CONDUCTEURS AUDIOST Microelectronics
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6239 | 6240 | 6241 | 6242 | 6243 | 6244 | 6245 | 6246 | 6247 | 6248 | 6249 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com