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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
249841BC308BUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249842BC308CAmplificateur Transistors(PNP)Motorola
249843BC308CTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249844BC308CSilicium De Transistors(PNP D'Amplificateur)ON Semiconductor
249845BC308CBUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249846BC308TATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249847BC308TARTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249848BC309Applications de commutation et d'amplificateurFairchild Semiconductor
249849BC309Transistor Tout usageKorea Electronics (KEC)
249850BC309Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249851BC309TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249852BC309Transistor. les applications de commutation et d'amplification. Tension collecteur-base VCBO = -30V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 500 mW. Courant de collecteurUSHA India LTD
249853BC309ATRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPFairchild Semiconductor
249854BC309ATRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPFairchild Semiconductor
249855BC309A0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249856BC309ABUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249857BC309ATATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249858BC309BAmplificateur Transistors(PNP)Motorola
249859BC309B0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFEContinental Device India Limited



249860BC309BBUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249861BC309BTATransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249862BC309CTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPFairchild Semiconductor
249863BC309CTRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPFairchild Semiconductor
249864BC309C0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFEContinental Device India Limited
249865BC309CBUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
249866BC313Mocy krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de ma³ejUltra CEMI
249867BC313Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249868BC317TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
249869BC3170.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-450 hFEContinental Device India Limited
249870BC317A0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110 - 220 hFEContinental Device India Limited
249871BC317B0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.150A Ic, 200-450 hFEContinental Device India Limited
249872BC318TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
249873BC319TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
249874BC320TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249875BC3200Redresseurs De Silicium-PontDiotec Elektronische
249876BC321TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249877BC322TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249878BC327Transistor d'usage universel de PNPPhilips
249879BC327Applications de commutation et d'amplificateurFairchild Semiconductor
249880BC327Transistor Tout usageKorea Electronics (KEC)
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