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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
249881BC327Petits Transistors De Signal (PNP)Vishay
249882BC327Petits Transistors De Signal (PNP)General Semiconductor
249883BC327Transistor d'Af De Silicium de PNPInfineon
249884BC327Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNPHoney Technology
249885BC327TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249886BC327Transistors d'cAf de silicium de PNP (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
249887BC327Amplificateur Transistors(PNP)Motorola
249888BC327Plastique PNP De Silicium De TransistorON Semiconductor
249889BC327PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
249890BC327Transistor planaire épitaxial de silicium de PNP pour des applications de commutation et d'amplificateurSemtech
249891BC3270.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-600 hFEContinental Device India Limited
249892BC327Transistor. les applications de commutation et d'amplification. Tension collecteur-base VCBO = -50V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -45V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 625mW. Courant de collecteurUSHA India LTD
249893BC327-016Plastique PNP De Silicium De TransistorON Semiconductor
249894BC327-025Plastique PNP De Silicium De TransistorON Semiconductor
249895BC327-040Plastique PNP De Silicium De TransistorON Semiconductor
249896BC327-100.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 63-160 hFEContinental Device India Limited
249897BC327-16Transistor d'usage universel de PNPPhilips
249898BC327-16Transistors d'cAf de silicium de PNP (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens



249899BC327-16Amplificateur Transistors(PNP)Motorola
249900BC327-16Silicium PlasticPNP De TransistorON Semiconductor
249901BC327-16Transistors, & de Rf; AfVishay
249902BC327-16PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
249903BC327-160.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-250 hFEContinental Device India Limited
249904BC327-16Petits signaux Transistor (PNP)General Semiconductor
249905BC327-16RL1Amplificateur transistor PNPON Semiconductor
249906BC327-16ZL1Silicium PlasticPNP De TransistorON Semiconductor
249907BC327-25Transistor d'usage universel de PNPPhilips
249908BC327-25PETITS TRANSISTORS DU SIGNAL PNPST Microelectronics
249909BC327-25PETITS TRANSISTORS DU SIGNAL PNPSGS Thomson Microelectronics
249910BC327-25Transistors d'cAf de silicium de PNP (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse)Siemens
249911BC327-25Amplificateur Transistors(PNP)Motorola
249912BC327-25Silicium PlasticPNP De TransistorON Semiconductor
249913BC327-25Transistors, & de Rf; AfVishay
249914BC327-25PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
249915BC327-250.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 160-400 hFEContinental Device India Limited
249916BC327-25Petits signaux Transistor (PNP)General Semiconductor
249917BC327-25-APPETITS TRANSISTORS DU SIGNAL PNPST Microelectronics
249918BC327-25-APTRANSISTORS petit signal PNPSGS Thomson Microelectronics
249919BC327-25RL1Silicium PlasticPNP De TransistorON Semiconductor
249920BC327-25ZL1Silicium PlasticPNP De TransistorON Semiconductor
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