| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 251241 | BC80840MTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251242 | BC808F | Transistor de silicium de PNP (application courante élevée de commutation d'application) | AUK Corp |
| 251243 | BC808W | Transistor d'cAf de silicium de PNP pour le général... | Infineon |
| 251244 | BC808W | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 251245 | BC808W | Transistor PNP à usage général | Philips |
| 251246 | BC817 | Transistor d'usage universel de NPN | Philips |
| 251247 | BC817 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251248 | BC817 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 251249 | BC817 | Petits Transistors De Signal (NPN) | Vishay |
| 251250 | BC817 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251251 | BC817 | Petits Transistors De Signal (NPN) | General Semiconductor |
| 251252 | BC817 | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 251253 | BC817 | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Siemens |
| 251254 | BC817 | Transistor de silicium de NPN (application courante élevée de commutation d'application) | AUK Corp |
| 251255 | BC817 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE NPN PETIT | Diodes |
| 251256 | BC817 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE NPN PETIT | TRSYS |
| 251257 | BC817 | 45 V, 500 mA NPN transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 251258 | BC817 | 0.250W usage général NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0,500A Ic, 100-600 hFE. BC807 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 251259 | BC817 | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 251260 | BC817-16 | Transistor d'usage universel de NPN | Philips |
| 251261 | BC817-16 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251262 | BC817-16 | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 251263 | BC817-16 | Transistors tout usage - transistor d'cAf de silicium de NPN pour des applications générales d'cAf | Infineon |
| 251264 | BC817-16 | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Siemens |
| 251265 | BC817-16 | Petit Transistor 310mW De Signal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251266 | BC817-16 | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 251267 | BC817-16 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 251268 | BC817-16 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE NPN PETIT | TRSYS |
| 251269 | BC817-16 | 45 V, 500 mA NPN transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 251270 | BC817-16 | 0.250W usage général NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0,500A Ic, 100-250 hFE. BC807-16 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 251271 | BC817-16 | Petits signaux Transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 251272 | BC817-16 | Transistor NPN à des fins générales et les applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 251273 | BC817-16 | Ic = 800mA, Vce = transistor de 1.0V | MCC |
| 251274 | BC817-16 | Montage en surface NPN petit transistor de signal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251275 | BC817-16-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE NPN PETIT | Diodes |
| 251276 | BC817-16-G | Transistor de But, V CBO = 50V, V PDG = 45V, V EBO = 5V, je C = 0,5 | Comchip Technology |
| 251277 | BC817-16L | Plastique De Transistor De Silicium | ON Semiconductor |
| 251278 | BC817-16LT1 | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 251279 | BC817-16LT1 | L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 251280 | BC817-16LT1 | Plastique De Transistor De Silicium | ON Semiconductor |
| | | |
