Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
253641 | BCR108L3E6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
253642 | BCR108S | Rangée de transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteur) | Siemens |
253643 | BCR108S | Transistor De Numérique De Silicium de NPN | Infineon |
253644 | BCR108S E6327 | Transistors Intégrés Duels d'Af De Résistance; 2xNPN; Types industriels de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50V | Infineon |
253645 | BCR108SE6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363 | Infineon |
253646 | BCR108T | AF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SC75 | Infineon |
253647 | BCR108TE6327 | Transistors De Numérique - R1 = 2,2kOhm; R2 = 47kOhm | Infineon |
253648 | BCR108W | Transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteur) | Siemens |
253649 | BCR108W | AF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SOT323 | Infineon |
253650 | BCR108WE6327 | Transistors de Numérique - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47 | Infineon |
253651 | BCR10CM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
253652 | BCR10CM | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253653 | BCR10CM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253654 | BCR10CM-12 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253655 | BCR10CM-12L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253656 | BCR10CM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253657 | BCR10CM-8 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253658 | BCR10CM-8L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253659 | BCR10CS | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253660 | BCR10CS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
253661 | BCR10CS | TYPE MOYEN DE L'UTILISATION NON-INSULATED DE PUISSANCE,TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
253662 | BCR10PM | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
253663 | BCR10PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
253664 | BCR10PM | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253665 | BCR10PM-12 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253666 | BCR10PM-12L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253667 | BCR10PM-8 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253668 | BCR10PM-8L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
253669 | BCR10PN | Transistors de Numérique - paquet SOT363 | Infineon |
253670 | BCR10PN | Rangée de Numérique Tansistor de silicium de NPN/pnp (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit d'entraînement) | Siemens |
253671 | BCR10UM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
253672 | BCR112 | Transistors de Numérique - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
253673 | BCR112 | Transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'inferface, circuit de conducteur) | Siemens |
253674 | BCR112F | AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tsfp-3 | Infineon |
253675 | BCR112FE6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
253676 | BCR112L3 | AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tslp-3 | Infineon |
253677 | BCR112L3E6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
253678 | BCR112T | AF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SC75 | Infineon |
253679 | BCR112TE6327 | Transistors de Numérique - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
253680 | BCR112U | Transistor De Numérique De Silicium de NPN | Infineon |
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