Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
257521 | BD544A | 60 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
257522 | BD544B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
257523 | BD544B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
257524 | BD544B | 80 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
257525 | BD544C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
257526 | BD544C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
257527 | BD544C | 100 V, le transistor de puissance PNP de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
257528 | BD545 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
257529 | BD545A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
257530 | BD545B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
257531 | BD545C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
257532 | BD546 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
257533 | BD546A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
257534 | BD546B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
257535 | BD546C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
257536 | BD550 | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
257537 | BD550 | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
257538 | BD550B | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
257539 | BD550B | TRANSISTOR DE SILICIUM POUR QUASI - LES AMPLIFICATEURS AUDIO DE SYMÉTRIE COMPLÉMENTAIRE | General Electric Solid State |
257540 | BD611 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
257541 | BD611 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
257542 | BD6111FV | > De LSIs De Régulateur; Régulateur négatif de rendement de tension variable de rendement | ROHM |
257543 | BD6112FVM/GLS | > De LSIs De Communications; Alimentation d'énergie négative ICs pour le téléphone cellulaire | ROHM |
257544 | BD612 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
257545 | BD613 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
257546 | BD613 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
257547 | BD614 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
257548 | BD615 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE NPN | Siemens |
257549 | BD615 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
257550 | BD6155FVM | > De LSIs De Communications; Convertisseur de DC/dc pour le contre-jour d'affichage à cristaux liquides | ROHM |
257551 | BD616 | TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNP | Siemens |
257552 | BD616LV4017AC-55 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257553 | BD616LV4017AC-55 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257554 | BD616LV4017AC-70 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257555 | BD616LV4017AC-70 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257556 | BD616LV4017ACG55 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257557 | BD616LV4017ACG55 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257558 | BD616LV4017ACG70 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257559 | BD616LV4017ACG70 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
257560 | BD616LV4017ACP55 | Bit très bas 16 de Power/Voltage CMOS SRAM 256K X | Brilliance Semiconductor |
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