Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
259561 | BFE520 | Transistor différentiel à large bande de NPN | Philips |
259562 | BFG10 | Transistor de puissance de gigahertz rf de NPN 2 | Philips |
259563 | BFG10 | GHz transistor de puissance RF NPN 2 | NXP Semiconductors |
259564 | BFG10/X | Transistor de puissance de gigahertz rf de NPN 2 | Philips |
259565 | BFG10/X | Transistor de puissance de gigahertz rf de NPN 2 | Philips |
259566 | BFG10W | Transistor de puissance À FRÉQUENCE ULTRA-haute | Philips |
259567 | BFG10W | Transistor à large bande NPN | NXP Semiconductors |
259568 | BFG10W/X | Transistor de puissance À FRÉQUENCE ULTRA-haute | Philips |
259569 | BFG10X | Transistor de puissance À FRÉQUENCE ULTRA-haute | Philips |
259570 | BFG11 | Transistor de puissance de gigahertz rf de NPN 2 | Philips |
259571 | BFG11/X | Transistor de puissance de gigahertz rf de NPN 2 | Philips |
259572 | BFG11/X | Transistor de puissance de gigahertz rf de NPN 2 | Philips |
259573 | BFG11W | NPN transistor de puissance de 2 gigahertz | Philips |
259574 | BFG11W/X | NPN transistor de puissance de 2 gigahertz | Philips |
259575 | BFG11W/X | NPN transistor de puissance de 2 gigahertz | Philips |
259576 | BFG135 | Transistor de bande large de NPN 7GHz | Philips |
259577 | BFG135 | NPN 7 GHz large bande transistor | NXP Semiconductors |
259578 | BFG135A | Rf-Bipolaire - pour l'amplificateur à bande large de bas-déformation met en scène jusqu'à 2GHz, amplificateurs de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN | Infineon |
259579 | BFG135A | Transistor du silicium rf de NPN (pour les étapes à bande large d'amplificateur de rendement de bas-déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
259580 | BFG16 | NPN transistor de bande large de 2 gigahertz | Philips |
259581 | BFG16A | NPN transistor de bande large de 2 gigahertz | Philips |
259582 | BFG17 | NPN transistor de bande large de 3 gigahertz | Philips |
259583 | BFG17A | NPN transistor de bande large de 3 gigahertz | Philips |
259584 | BFG19 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Infineon |
259585 | BFG19 | Transistor du silicium rf de NPN (pour de bas amplificateurs à bande large de bruit/bas de déformation dans l'antenne) | Siemens |
259586 | BFG193 | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2 gigahertz et les amplificateurs à bande large linéaires | Infineon |
259587 | BFG193 | Transistor du silicium rf de NPN pour le bas NOI... | Infineon |
259588 | BFG193 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
259589 | BFG194 | Transistor du silicium rf de PNP pour de bas dis... | Infineon |
259590 | BFG194 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
259591 | BFG196 | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, amplificateurs à bande large de basse déformation dans les systèmes sans fil jusqu'à 1,5 gigahertz | Infineon |
259592 | BFG196 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
259593 | BFG197 | NPN transistor de bande large de 7 gigahertz | Philips |
259594 | BFG197/X | NPN transistor de bande large de 7 gigahertz | Philips |
259595 | BFG197/XR | NPN transistor de bande large de 7 gigahertz | Philips |
259596 | BFG198 | NPN transistor de bande large de 8 gigahertz | Philips |
259597 | BFG198 | 8 GHz large bande NPN transistor | NXP Semiconductors |
259598 | BFG19S | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, amplificateurs à bande large de basse déformation dans les systèmes sans fil jusqu'à 1,5 gigahertz | Infineon |
259599 | BFG19S | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne) | Siemens |
259600 | BFG21W | Transistor de puissance À FRÉQUENCE ULTRA-haute | Philips |
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