| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 273321 | BUK6213-30A | FET intermédiaire de niveau de TrenchMOS (tm) | Philips |
| 273322 | BUK6213-30A | Buk6213-30a; FET intermédiaire de niveau de TrenchMOS (tm) | Philips |
| 273323 | BUK6213-30A | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273324 | BUK6213-30C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273325 | BUK6215-75C | TrenchMOS FET ŕ canal N | NXP Semiconductors |
| 273326 | BUK6217-55C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273327 | BUK6218-40C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273328 | BUK6226-75C | TrenchMOS FET ŕ canal N | NXP Semiconductors |
| 273329 | BUK6228-55C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273330 | BUK6246-75C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273331 | BUK624R5-30C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273332 | BUK625R0-40C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273333 | BUK625R2-30C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273334 | BUK626R2-40C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273335 | BUK638-1000 | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273336 | BUK638-1000 | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273337 | BUK638-1000A | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273338 | BUK638-1000A | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273339 | BUK638-1000B | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273340 | BUK638-1000B | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273341 | BUK638-500B | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273342 | BUK638-500B | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273343 | BUK638-800 | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273344 | BUK638-800 | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273345 | BUK638-800A | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273346 | BUK638-800A | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273347 | BUK638-800B | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273348 | BUK638-800B | FET rapide de diode de rétablissement de transistor dePowerMOS | Philips |
| 273349 | BUK6507-55C | TrenchMOS N-canal logique et FET de niveau standard | NXP Semiconductors |
| 273350 | BUK6507-75C | TrenchMOS FET ŕ canal N | NXP Semiconductors |
| 273351 | BUK6510-75C | TrenchMOS FET ŕ canal N | NXP Semiconductors |
| 273352 | BUK652R0-30C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273353 | BUK652R1-30C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273354 | BUK652R3-40C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273355 | BUK652R6-40C | TrenchMOS FET ŕ canal N | NXP Semiconductors |
| 273356 | BUK653R2-55C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273357 | BUK653R3-30C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273358 | BUK653R4-40C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273359 | BUK653R5-55C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
| 273360 | BUK653R7-30C | TrenchMOS canal N niveau intermédiaire FET | NXP Semiconductors |
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