Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
286361 | C106D1 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
286362 | C106D1 | Redresseur Commandé De Silicium Sensible De Porte | ON Semiconductor |
286363 | C106E | 4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 500V. | General Electric Solid State |
286364 | C106E1 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
286365 | C106F | 4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 50V. | General Electric Solid State |
286366 | C106F | Redresseur commandé au silicium thyristor triode de blocage inverse | Motorola |
286367 | C106M | Redresseur Commandé De Silicium Sensible De Porte | ON Semiconductor |
286368 | C106M | 4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 600V. | General Electric Solid State |
286369 | C106M | Redresseur commandé au silicium thyristor triode de blocage inverse | Motorola |
286370 | C106M1 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
286371 | C106M1 | Redresseur Commandé De Silicium Sensible De Porte | ON Semiconductor |
286372 | C106N | 4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 800V. | General Electric Solid State |
286373 | C106S | 4A sensible porte redresseur commandé au silicium. Vrrm 700V. | General Electric Solid State |
286374 | C108 | Numéros De Type Précédents De Vectron | Vectron |
286375 | C10920FR | FRD CONJUGUENT DIODE - TERRAIN COMMUNAL D'ANODE | Nihon |
286376 | C10T03QL | SBD | Nihon |
286377 | C10T03QL-11A | SBD | Nihon |
286378 | C10T04Q-11A | SBD | Nihon |
286379 | C10T20F | SCHÉMA D'ENSEMBLE | Nihon |
286380 | C10T40F | 400 V, diode dans les 3-goupilles à empaqueter | Nihon |
286381 | C10T60F | SQUARE-PAK, Diodes Duelles, Rétablissement Ultra Rapide, Basse Chute de tension Vers l'avant | Nihon |
286382 | C1112 | TÉTRODE DE PUISSANCE DE FAISCEAU | etc |
286383 | C1206CXXX | Morceau En céramique/Norme | Kemet Corporation |
286384 | C1206CXXX | Condensateurs En céramique Multicouche | Vishay |
286385 | C120P06QE | Rectification À haute fréquence | Nihon |
286386 | C1210 | Dispositifs Zéro De processus De Seuil De C1210 CMOS 1.2mm | IMP Inc |
286387 | C1210C102F2GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286388 | C1210C102J2GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286389 | C1210C102J5GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286390 | C1210C102K2GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286391 | C1210C102K5GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286392 | C1210C103G5GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286393 | C1210C103J1GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286394 | C1210C103J5GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286395 | C1210C103K1RAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286396 | C1210C103K2RAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286397 | C1210C103K5GAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286398 | C1210C103M1RAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286399 | C1210C103M2RAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
286400 | C1210C104J1RAC | CONDENSATEURS EN CÉRAMIQUE DE MORCEAU | Kemet Corporation |
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