| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 331721 | CSD10060G | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331722 | CSD10060G | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331723 | CSD10060G | 600V; 10A; zéro redresseur de récupération. Pour les alimentations à découpage, correction du facteur de puissance, le contrôle moteur | CREE POWER |
| 331724 | CSD10120 | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331725 | CSD10120 | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331726 | CSD10120D | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331727 | CSD10120D | REDRESSEUR ZÉRO DE RÉTABLISSEMENT | etc |
| 331728 | CSD10120D | 1200V; 5A; zéro redresseur de récupération. Pour les alimentations à découpage, correction du facteur de puissance, le contrôle moteur | CREE POWER |
| 331729 | CSD1025 | 50.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 8.000A Ic, 1500-30000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331730 | CSD1047F | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331731 | CSD1047F | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331732 | CSD1047OF | 90.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 140V VCEO, 12.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331733 | CSD1047QF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331734 | CSD1047QF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331735 | CSD1047YF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331736 | CSD1047YF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331737 | CSD1133 | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331738 | CSD1133B | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331739 | CSD1133C | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331740 | CSD1133D | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331741 | CSD1134 | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331742 | CSD1134B | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331743 | CSD1134C | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331744 | CSD1134D | 40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331745 | CSD1306 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331746 | CSD1306 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331747 | CSD1306D | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331748 | CSD1306D | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331749 | CSD1306E | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331750 | CSD1306E | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331751 | CSD1306F | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331752 | CSD1306F | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331753 | CSD13202Q2 | Canal N MOSFET de puissance, CSD13202Q2, 12V Vds, 9.3mohm Rdson4.5 (max) | Texas Instruments |
| 331754 | CSD13303W1015 | N-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331755 | CSD13381F4 | 12V, Canal N MOSFET FemtoFET ??™ | Texas Instruments |
| 331756 | CSD1426F | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331757 | CSD1426F | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331758 | CSD1489 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331759 | CSD1489 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331760 | CSD1489B | 0.750W usage général NPN Transistor plastique plomb. 16V VCEO, 2.000A Ic, 100 - 500 hFE | Continental Device India Limited |
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