| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 418041 | FM25V20A-DGTR | 2 Mbits (256 K × 8) série (SPI) F-RAM | Cypress |
| 418042 | FM25V20A-G | 2 Mbits (256 K × 8) série (SPI) F-RAM | Cypress |
| 418043 | FM25V20A-GTR | 2 Mbits (256 K × 8) série (SPI) F-RAM | Cypress |
| 418044 | FM25VN10-G | 1 Mbits (128 K × 8) série (SPI) F-RAM | Cypress |
| 418045 | FM25VN10-GTR | 1 Mbits (128 K × 8) série (SPI) F-RAM | Cypress |
| 418046 | FM25W256-G | 256 Kbit (32 K × 8) série (SPI) F-RAM | Cypress |
| 418047 | FM25W256-GTR | 256 Kbit (32 K × 8) série (SPI) F-RAM | Cypress |
| 418048 | FM260 | Type épitaxial de planer de silicium | Formosa MS |
| 418049 | FM260 | REDRESSEUR EXTÉRIEUR de BARRIÈRE de SCHOTTKY de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 20 à 100 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 418050 | FM260-M | Type épitaxial de planer de silicium | Formosa MS |
| 418051 | FM27C010 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418052 | FM27C010N120 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418053 | FM27C010N150 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418054 | FM27C010N90 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418055 | FM27C010NE120 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418056 | FM27C010NE150 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418057 | FM27C010NE90 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418058 | FM27C010Q | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418059 | FM27C010QE | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418060 | FM27C010V | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418061 | FM27C010VE | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 1/048/576-Bit 128K X | Fairchild Semiconductor |
| 418062 | FM27C010X120 | 1,048,576-Bit (exécution CMOS EPROM de 128K x de 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418063 | FM27C010X150 | 1,048,576-Bit (exécution CMOS EPROM de 128K x de 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418064 | FM27C010X90 | 1,048,576-Bit (exécution CMOS EPROM de 128K x de 8)High | Fairchild Semiconductor |
| 418065 | FM27C040 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418066 | FM27C040N120 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418067 | FM27C040N150 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418068 | FM27C040N90 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418069 | FM27C040NE120 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418070 | FM27C040NE150 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418071 | FM27C040NE90 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418072 | FM27C040Q120 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418073 | FM27C040Q150 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418074 | FM27C040Q90 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418075 | FM27C040QE120 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418076 | FM27C040QE150 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418077 | FM27C040QE90 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418078 | FM27C040V120 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418079 | FM27C040V150 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
| 418080 | FM27C040V90 | rendement 8 CMOS EPROM élevé de 4/194/304-Bit 512K X | Fairchild Semiconductor |
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