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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
480812N5909AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De NIntersil
480822N5910TRANSISTORS DE COMMUTATION DE SILICIUM DE PMPCentral Semiconductor
480832N5911Gain Élevé AssortiVishay
480842N5911Amplificateur Duel De Haute fréquence Du N-Canal JFETCalogic
480852N5911Le Gain À large bande Et Élevé, Monolithique Conjuguent, La Manche JFET De NLinear Systems
480862N5911Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channelInterFET Corporation
480872N5911JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence.Intersil
480882N5911-12Amplificateur Duel De Haute fréquence Du N-Canal JFETCalogic
480892N5911_DJFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence.Intersil
480902N5911_WJFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence.Intersil
480912N5912Gain Élevé AssortiVishay
480922N5912Amplificateur Duel De Haute fréquence Du N-Canal JFETCalogic
480932N5912Le Gain À large bande Et Élevé, Monolithique Conjuguent, La Manche JFET De NLinear Systems
480942N5912Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channelInterFET Corporation
480952N5912JFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence.Intersil
480962N5912CLe Gain À large bande Et Élevé, Monolithique Conjuguent, La Manche JFET De NLinear Systems
480972N5912_DJFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence.Intersil
480982N5912_WJFET N Dual-channel. Amplificateur haute fréquence.Intersil



480992N5930Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
481002N5933Dispositif Bipolaire de NPNSemeLAB
481012N5933Dispositif Bipolaire de NPNSemeLAB
481022N5934Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
481032N5937Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
481042N5937Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
481052N5945TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPNAdvanced Semiconductor
481062N5945TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPNAdvanced Semiconductor
481072N5949Usage universel Plombé de JFETCentral Semiconductor
481082N5949SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/AmplitiersFairchild Semiconductor
481092N5950Usage universel Plombé de JFETCentral Semiconductor
481102N5950SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/AmplitiersFairchild Semiconductor
481112N5951Usage universel Plombé de JFETCentral Semiconductor
481122N5951SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/AmplitiersFairchild Semiconductor
481132N5952N-Canal Rf AmpifierFairchild Semiconductor
481142N5952Usage universel Plombé de JFETCentral Semiconductor
481152N5952_D74ZAmplificateur Du N-Canal RfFairchild Semiconductor
481162N5952_D75ZAmplificateur Du N-Canal RfFairchild Semiconductor
481172N5953Usage universel Plombé de JFETCentral Semiconductor
481182N5953SFET RF/vhf/Fréquence ultra-haute/AmplitiersFairchild Semiconductor
481192N5954Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
481202N5954Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -90V, 40W.General Electric Solid State
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