Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
48441 | 2N6211 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48442 | 2N6211 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48443 | 2N6212 | Transistor de PNP | Microsemi |
48444 | 2N6212 | PUISSANCE TRANSISTORS(à, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
48445 | 2N6212 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Milieu-puissance PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48446 | 2N6212 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48447 | 2N6212 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48448 | 2N6213 | Transistor de PNP | Microsemi |
48449 | 2N6213 | PUISSANCE TRANSISTORS(à, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
48450 | 2N6213 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Milieu-puissance PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48451 | 2N6213 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48452 | 2N6213 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48453 | 2N6214 | Haute tension, moyenne puissance transistor PNP de silicium. | General Electric Solid State |
48454 | 2N6226 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
48455 | 2N6227 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
48456 | 2N6227 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
48457 | 2N6229 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48458 | 2N6230 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48459 | 2N6231 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
48460 | 2N6231 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
48461 | 2N6232 | Transistor de NPN | Microsemi |
48462 | 2N6233 | 4 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère PNP | Motorola |
48463 | 2N6234 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66. | SemeLAB |
48464 | 2N6235 | 4 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère PNP | Motorola |
48465 | 2N6235 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
48466 | 2N6240 | Thyristors de blocage renversés de triode de redresseurs commandésde silicium | Motorola |
48467 | 2N6240 | Thyristors de blocage renversés de triode de redresseurs commandésde silicium | Motorola |
48468 | 2N6240-D | Thyristors De Blocage Renversés De Triode | ON Semiconductor |
48469 | 2N6246 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48470 | 2N6246 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
48471 | 2N6246 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -70V, 125W. | General Electric Solid State |
48472 | 2N6247 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48473 | 2N6247 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
48474 | 2N6247 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -90V, 125W. | General Electric Solid State |
48475 | 2N6248 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48476 | 2N6248 | Épitaxiale base, PNP transistor de silicium de haute puissance. -110V, 125W. | General Electric Solid State |
48477 | 2N6249 | Transistor de NPN | Microsemi |
48478 | 2N6249 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
48479 | 2N6249 | 300V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
48480 | 2N6250 | Transistor de NPN | Microsemi |
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