Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
49161 | 2N6677 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49162 | 2N6677 | 15 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
49163 | 2N6677 | Transistor de puissance NPN de silicium. 15 A, 350 V, 175 W. | Motorola |
49164 | 2N6678 | Transistor de NPN | Microsemi |
49165 | 2N6678 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
49166 | 2N6678 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49167 | 2N6678 | 15 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
49168 | 2N6678 | Transistor de puissance NPN de silicium. 15 A, 400 V, 175 W. | Motorola |
49169 | 2N6686 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
49170 | 2N6686 | 25 transistor de puissance Une SwitchMax. Type NPN. | General Electric Solid State |
49171 | 2N6687 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
49172 | 2N6687 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
49173 | 2N6687 | 25 transistor de puissance Une SwitchMax. Type NPN. | General Electric Solid State |
49174 | 2N6688 | 25 transistor de puissance Une SwitchMax. Type NPN. | General Electric Solid State |
49175 | 2N6689 | Transistor de NPN | Microsemi |
49176 | 2N6690 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PUISSANCE DE NPN | Microsemi |
49177 | 2N6691 | Transistor de NPN | Microsemi |
49178 | 2N6693 | Transistor de NPN | Microsemi |
49179 | 2N6702 | Haute-courant silicium de transistor NPN VERSAWATT. | General Electric Solid State |
49180 | 2N6703 | Haute-courant silicium de transistor NPN VERSAWATT. | General Electric Solid State |
49181 | 2N6704 | Haute-courant silicium de transistor NPN VERSAWATT. | General Electric Solid State |
49182 | 2N6705 | 0.850W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE - | Continental Device India Limited |
49183 | 2N6707 | 0.850W usage général NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE - | Continental Device India Limited |
49184 | 2N6708 | 0.850W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE - | Continental Device India Limited |
49185 | 2N6709 | 0.850W usage général PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE - | Continental Device India Limited |
49186 | 2N6710 | 0.850W usage général PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 HFE - | Continental Device India Limited |
49187 | 2N6714 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Zetex Semiconductors |
49188 | 2N6714 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49189 | 2N6714 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
49190 | 2N6714 | 0.750W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 55 HFE - | Continental Device India Limited |
49191 | 2N6714 | NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYEN | Diodes |
49192 | 2N6715 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Zetex Semiconductors |
49193 | 2N6715 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49194 | 2N6715 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
49195 | 2N6715 | 0.750W usage général NPN Transistor plastique plomb. 40V VCEO, 1.500A Ic, 55 HFE - | Continental Device India Limited |
49196 | 2N6715 | NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYEN | Diodes |
49197 | 2N6716 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Zetex Semiconductors |
49198 | 2N6716 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49199 | 2N6716 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
49200 | 2N6716 | 0.850W usage général NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 80 HFE - | Continental Device India Limited |
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