| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 49241 | 2N6730 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49242 | 2N6730 | 0.850W usage général PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 80 HFE - | Continental Device India Limited |
| 49243 | 2N6730 | PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYEN | Diodes |
| 49244 | 2N6731 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Zetex Semiconductors |
| 49245 | 2N6731 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49246 | 2N6731 | NPN SILICON PLANAR MOYENNE PUISSANCE TRANSISTOR | Diodes |
| 49247 | 2N6732 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 49248 | 2N6732 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49249 | 2N6732 | PNP SILICON PLANAR MOYENNE PUISSANCE TRANSISTOR | Diodes |
| 49250 | 2N6733 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49251 | 2N6734 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49252 | 2N6735 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49253 | 2N6735 | Transistors De Puissance | Central Semiconductor |
| 49254 | 2N6737 | Transistors De Puissance | Central Semiconductor |
| 49255 | 2N6737 | Transistors De Puissance | Central Semiconductor |
| 49256 | 2N6738 | PUISSANCE TRANSISTORS(8.0a, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49257 | 2N6738 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE LA SÉRIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49258 | 2N6739 | PUISSANCE TRANSISTORS(8.0a, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49259 | 2N6739 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE LA SÉRIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49260 | 2N6740 | PUISSANCE TRANSISTORS(8.0a, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49261 | 2N6740 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE LA SÉRIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49262 | 2N6740 | 100.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 400V VCEO, 8.000A Ic, 10-40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49263 | 2N6751 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49264 | 2N6751 | 5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49265 | 2N6752 | 5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49266 | 2N6753 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49267 | 2N6753 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49268 | 2N6753 | 5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49269 | 2N6754 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49270 | 2N6754 | 5 transistor de puissance Une SwitchMax. Haute tension type NPN. | General Electric Solid State |
| 49271 | 2N6755 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/14/60 A/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 49272 | 2N6755 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 49273 | 2N6756 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 49274 | 2N6756 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/14/60 A/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 49275 | 2N6756 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 49276 | 2N6757 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/9A/150V/200v | Fairchild Semiconductor |
| 49277 | 2N6757 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 49278 | 2N6758 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 49279 | 2N6758 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/9A/150V/200v | Fairchild Semiconductor |
| 49280 | 2N6758 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A. | General Electric Solid State |
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