| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 49281 | 2N6759 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 49282 | 2N6759 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 49283 | 2N6760 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 49284 | 2N6760 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 49285 | 2N6760 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 49286 | 2N6761 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/4.Ä/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 49287 | 2N6761 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 49288 | 2N6762 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 49289 | 2N6762 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/4.Ä/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 49290 | 2N6762 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 49291 | 2N6763 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3Å/60V/100v | Fairchild Semiconductor |
| 49292 | 2N6764 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 49293 | 2N6764 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3Å/60V/100v | Fairchild Semiconductor |
| 49294 | 2N6764 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 38A. | General Electric Solid State |
| 49295 | 2N6764 | À canal N à mode d'enrichissement transistor de puissance MOSFET | Omnirel |
| 49296 | 2N6765 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/30A/150V/200v | Fairchild Semiconductor |
| 49297 | 2N6766 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 49298 | 2N6766 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/30A/150V/200v | Fairchild Semiconductor |
| 49299 | 2N6766 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 49300 | 2N6766 | À canal N à mode d'enrichissement transistor de puissance MOSFET | Omnirel |
| 49301 | 2N6767 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 49302 | 2N6768 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 49303 | 2N6768 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 49304 | 2N6768 | À canal N à mode d'enrichissement transistor de puissance MOSFET | Omnirel |
| 49305 | 2N6769 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 49306 | 2N6770 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 49307 | 2N6770 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/450V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 49308 | 2N6770 | À canal N à mode d'enrichissement transistor de puissance MOSFET | Omnirel |
| 49309 | 2N6781 | 60 V, 06 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 49310 | 2N6782 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
| 49311 | 2N6782 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 49312 | 2N6782 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. 3.5 A, 100V. | General Electric Solid State |
| 49313 | 2N6782 | 100 V, 06 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance | Topaz Semiconductor |
| 49314 | 2N6782LCC4 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 49315 | 2N6784 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
| 49316 | 2N6786 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
| 49317 | 2N6786 | Transistor MOSFET de N-Canal dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 49318 | 2N6788 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
| 49319 | 2N6788 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. 6.0 A, 100V. | General Electric Solid State |
| 49320 | 2N6790 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
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