| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 49761 | 2N912 | Petits Transistors De Signal | Central Semiconductor |
| 49762 | 2N914 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49763 | 2N915 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49764 | 2N915 | 0.360W usage général NPN métal peut transistor. VCEO 50V, Ic A, 50 à 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49765 | 2N916 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49766 | 2N917 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49767 | 2N917 | 0.200W RF NPN métal peut transistor. 15V VCEO, 0.050A Ic, 20-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49768 | 2N917A | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49769 | 2N918 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49770 | 2N918 | Polarité NPN De la Géométrie 0013 Du Type 2C918 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 49771 | 2N918 | OSCILLATEURS ET AMPLIFICATEURS À haute fréquence | ST Microelectronics |
| 49772 | 2N918 | 0.200W RF NPN métal peut transistor. 15V VCEO, 0.050A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49773 | 2N918 | HFE min 20 ft, typ 600 MHz transistor NPN polarité Courant, Ic continu max 0,05 A Tension VCBO 30 V Tension VCEO 15 V Courant, Ic (HFE) 3 mA Puissance Ptot 0,2 W | SGS Thomson Microelectronics |
| 49774 | 2N918ACSM | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet extérieur en céramique hermétiquement scellé du bâti LCC1 pour des applications élevées de fiabilité | SemeLAB |
| 49775 | 2N918ACSM | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet extérieur en céramique hermétiquement scellé du bâti LCC1 pour des applications élevées de fiabilité | SemeLAB |
| 49776 | 2N918CSM | USAGE UNIVERSEL, PETIT TRANSISTOR Du SIGNAL NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| 49777 | 2N918UB | Polarité NPN De la Géométrie 0013 Du Type 2C918 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 49778 | 2N929 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO18 | SemeLAB |
| 49779 | 2N929A | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49780 | 2N930 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 49781 | 2N930 | TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM PETITS | Micro Electronics |
| 49782 | 2N930 | TRANSISTOR D'CAmplificateur (SILICIUM DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 49783 | 2N930 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49784 | 2N930 | Polarité NPN De la Géométrie 0307 Du Type 2C2484 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 49785 | 2N930 | 0.500W usage général NPN métal peut transistor. 45V VCEO, 0.030A Ic, - 600 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49786 | 2N930 | TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 49787 | 2N930A | TRANSISTOR D'CAmplificateur (SILICIUM DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 49788 | 2N930A | 0.500W usage général NPN métal peut transistor. 45V VCEO, 0.030A Ic, 100-600 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49789 | 2N930B | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49790 | 2N930CSM | GRANDE VITESSE, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR TOUT USAGE De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
| 49791 | 2N947 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49792 | 2N956 | TRANSISTOR TOUT USAGE (SILICIUM DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 49793 | 2N956 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49794 | 2N957 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49795 | 2N978 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49796 | 2N995 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO18 | SemeLAB |
| 49797 | 2N995 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49798 | 2N996 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49799 | 2N998 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49800 | 2NH45 | REDRESSEUR RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT (TYPE APPLICATIONSDE COMMUTATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE) | TOSHIBA |
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