| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 51801 | 2SB1085 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 51802 | 2SB1085A | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNP | ROHM |
| 51803 | 2SB1085A | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 51804 | 2SB1091 | Transistor Du Silicium PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51805 | 2SB1091 | Triple Du Silicium PNP Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 51806 | 2SB1091 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51807 | 2SB1093 | TRANSISTOR DU SILICIUM DARLINGTON DE PNP | NEC |
| 51808 | 2SB1094 | Transistor de silicium | NEC |
| 51809 | 2SB1096 | Colorez Le Rendement Vertical De Débattement de TV | Unknow |
| 51810 | 2SB1101 | PAIRE COMPLÉMENTAIRE DE BASSE FRÉQUENCE D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AVEC 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51811 | 2SB1102 | PAIRE COMPLÉMENTAIRE DE BASSE FRÉQUENCE D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AVEC 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51812 | 2SB1103 | Transistor Du Silicium PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51813 | 2SB1103 | Triple Du Silicium PNP Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 51814 | 2SB1103 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51815 | 2SB1108 | Vitesse moyenne commutant la paire complémentaire avec2SD1608 | Panasonic |
| 51816 | 2SB1109 | SILICIUM PNP ÉPITAXIAL (AMPLIFICATEUR À HAUTE TENSIONDE BASSE FRÉQUENCE) | Hitachi Semiconductor |
| 51817 | 2SB1110 | SILICIUM PNP ÉPITAXIAL (AMPLIFICATEUR À HAUTE TENSIONDE BASSE FRÉQUENCE) | Hitachi Semiconductor |
| 51818 | 2SB1114 | Transistor de silicium | NEC |
| 51819 | 2SB1114-T1 | Transistor de silicium | NEC |
| 51820 | 2SB1114-T2 | Transistor de silicium | NEC |
| 51821 | 2SB1115 | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP MINI | NEC |
| 51822 | 2SB1115 | 60 V, 2 A, le transistor de silicium de 2 W | EIC discrete Semiconductors |
| 51823 | 2SB1115-T1 | Transistor de silicium | NEC |
| 51824 | 2SB1115-T2 | Transistor de silicium | NEC |
| 51825 | 2SB1115A | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP MINI | NEC |
| 51826 | 2SB1115A | 80 V, 2 A, 2 transistor en silicium de W | EIC discrete Semiconductors |
| 51827 | 2SB1115A-T1 | Transistor de silicium | NEC |
| 51828 | 2SB1115A-T2 | Transistor de silicium | NEC |
| 51829 | 2SB1116 | Transistor de silicium | NEC |
| 51830 | 2SB1116 | Fréquence audio amplificateur de puissance de commutation de vitesse moyenne. Tension collecteur-base: VCBO = -60V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -50V. Tension émetteur-base Vebo = 6V. Collector dissipation: Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51831 | 2SB1116(C)-T | Transistor de silicium | NEC |
| 51832 | 2SB1116-T | Transistor de silicium | NEC |
| 51833 | 2SB1116-T/JD | Transistor de silicium | NEC |
| 51834 | 2SB1116-T/JM | Transistor de silicium | NEC |
| 51835 | 2SB1116/JD | Transistor de silicium | NEC |
| 51836 | 2SB1116/JM | Transistor de silicium | NEC |
| 51837 | 2SB1116A | Transistor de silicium | NEC |
| 51838 | 2SB1116A | Fréquence audio amplificateur de puissance de commutation de vitesse moyenne. Tension collecteur-base VCBO = -80V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -60V. Tension émetteur-base Vebo = 6V. Collector dissipation Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51839 | 2SB1116A-T | Transistor de silicium | NEC |
| 51840 | 2SB1116A-T/JD | Transistor de silicium | NEC |
| | | |
