Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
52681 | 2SB955K | Triple Du Silicium PNP Diffus | Hitachi Semiconductor |
52682 | 2SB956 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
52683 | 2SB962 | Transistor de silicium | NEC |
52684 | 2SB962-Z | TRANSISTOR ÉPITAXIAL MP-3 DE SILICIUM DE PNP | NEC |
52685 | 2SB963 | Transistor de Darlington | NEC |
52686 | 2SB963-Z | TRANSISTOR ÉPITAXIAL MP-3 DU SILICIUM DARLINGTON DE PNP | NEC |
52687 | 2SB966 | Transistor Diffus Par Triple De Silicium Du Silicium Epitaxial/NPN de PNP | Unknow |
52688 | 2SB967 | Amplification de basse fréquence de puissance de type(For planaire épitaxial du silicium PNP) | Panasonic |
52689 | 2SB968 | Dispositif de puissance - transistors de puissance - amplification d'usage universel de puissance | Panasonic |
52690 | 2SB970 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
52691 | 2SB976 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
52692 | 2SB977 | 2SB970 Silicium ÉPITAXIAL PNP DARLINGTON PLANAIRE ÉPITAXIAL PLANAIRE Du Silicium PNP/2SB977 2SB977A/2SC1547 Silicium NPN PLANAIRE | Panasonic |
52693 | 2SB977A | 2SB970 Silicium ÉPITAXIAL PNP DARLINGTON PLANAIRE ÉPITAXIAL PLANAIRE Du Silicium PNP/2SB977 2SB977A/2SC1547 Silicium NPN PLANAIRE | Panasonic |
52694 | 2SB984 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | NEC |
52695 | 2SB985 | Applications De Conduite Grand-Courantes De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de PNP | SANYO |
52696 | 2SB986 | Applications Planaires Épitaxiales De Commutation Des Transistors 50V/â De Darlington De Silicium de PNP | SANYO |
52697 | 2SBI345 | TRANSISTORS | Unknow |
52698 | 2SC0828 | Transistor - Type Silicon NPN planaire épitaxiale | Panasonic |
52699 | 2SC0828A | Transistor - Type Silicon NPN planaire épitaxiale | Panasonic |
52700 | 2SC0829 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autres | Panasonic |
52701 | 2SC1008 | TRANSISTOR NPN | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
52702 | 2SC1008 | Amplificateurs et commutateurs de puissance moyens | Unknow |
52703 | 2SC1008 | TRANSISTOR NPN | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
52704 | 2SC1008 | Amplificateurs et commutateurs de puissance moyens | Unknow |
52705 | 2SC1008 | Amplificateur basse fréquence de commutation de vitesse moyenne. Tension collecteur-base VCBO = 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO = 60V. Tension émetteur-base Vebo = 8V. Collector dissipation Pc (max) = 800mW. Courant de collecteur | USHA India LTD |
52706 | 2SC1009 | AMPLIFICATEUR de FM/am rf, MÉLANGEUR, oscillateur, MOULE de TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM du convertisseur PNP MINI | NEC |
52707 | 2SC1009 | Amplificateur haute tension. Tension collecteur-base = 160V VCBO. Tension collecteur-émetteur = 140V VCEO. Tension émetteur-base Vebo = 8V. Collector dissipation PC (max) = 800mW. Courant de collecteur IC = 700mA. | USHA India LTD |
52708 | 2SC1009A | AMPLIFICATEUR de FM/am rf, MÉLANGEUR, oscillateur, MOULE de TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM du convertisseur PNP MINI | NEC |
52709 | 2SC1009A-L | Transistor de silicium | NEC |
52710 | 2SC1009A-T1B | Transistor de silicium | NEC |
52711 | 2SC1009A-T2B | Transistor de silicium | NEC |
52712 | 2SC1030 | SILICIUM NPN TRASISTORS | JMnic |
52713 | 2SC1030 | SILICIUM NPN TRASISTORS | JMnic |
52714 | 2SC1034 | 2SC1034 | SONY |
52715 | 2SC1046 | 2SC1046 | SANYO |
52716 | 2SC1046 | 2SC1046 | SANYO |
52717 | 2SC1047 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autres | Panasonic |
52718 | 2SC1047 | DESCRIPTION Planaire Épitaxiale De Transistor(GENERAL De Silicium) | Wing Shing Computer Components |
52719 | 2SC1050 | DESCRIPTION Planaire Épitaxiale De Transistor(GENERAL De Silicium) | Wing Shing Computer Components |
52720 | 2SC1060 | Paire complémentaire DE BASSE FRÉQUENCE d'AMPLIFICATEUR de PUISSANCE avec 2SA670 et 2SA671 | Unknow |
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