| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 53481 | 2SC2592 | Conducteur d'AF, paire complémentaire d'amplificateur d'amplificateur de puissance élevée avec 2SA1111,2SA1112 | Unknow |
| 53482 | 2SC2592 | Transistor - Type Silicon NPN planaire épitaxiale | Panasonic |
| 53483 | 2SC2594 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
| 53484 | 2SC2603 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 53485 | 2SC2610 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53486 | 2SC2610 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53487 | 2SC2610 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53488 | 2SC2611 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53489 | 2SC2611 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53490 | 2SC2612 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53491 | 2SC2612 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53492 | 2SC2613 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53493 | 2SC2613 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 53494 | 2SC2613 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53495 | 2SC2614 | COMMUTATION DE PUISSANCE DE HAUTE TENSION, À GRANDE VITESSE ET ÉLEVÉE | Unknow |
| 53496 | 2SC2614 | COMMUTATION DE PUISSANCE DE HAUTE TENSION, À GRANDE VITESSE ET ÉLEVÉE | Unknow |
| 53497 | 2SC2616 | COMMUTATION DE PUISSANCE DE HAUTE TENSION, À GRANDE VITESSE ET ÉLEVÉE | Unknow |
| 53498 | 2SC2616 | COMMUTATION DE PUISSANCE DE HAUTE TENSION, À GRANDE VITESSE ET ÉLEVÉE | Unknow |
| 53499 | 2SC2618 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53500 | 2SC2618 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53501 | 2SC2618 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53502 | 2SC2619 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53503 | 2SC2619 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53504 | 2SC2619 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53505 | 2SC2620 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53506 | 2SC2620 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53507 | 2SC2620 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53508 | 2SC2623 | Transistor à grande vitesse de commutation | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53509 | 2SC2623 | Transistor à grande vitesse de commutation | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53510 | 2SC2624 | Transistor à grande vitesse de commutation | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53511 | 2SC2624 | Transistor à grande vitesse de commutation | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53512 | 2SC2625 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 400v, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53513 | 2SC2625 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE À HAUTE TENSION DE TYPE DE PLANER DIFFUSE PAR TRIPLE | Fuji Electric |
| 53514 | 2SC2626 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE À HAUTE TENSION DE TYPE DE PLANER DIFFUSE PAR TRIPLE | Fuji Electric |
| 53515 | 2SC2627 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53516 | 2SC2628 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53517 | 2SC2629 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53518 | 2SC2630 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53519 | 2SC2631 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 53520 | 2SC2632 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
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