| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 55961 | 2SC5172 | RÉGULATEUR DE COMMUTATION DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c | TOSHIBA |
| 55962 | 2SC5173 | APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE COMMUTATION ET D'CAmplificateur DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). COLOREZ LES APPLICATIONS HORIZONTALES DE CONDUCTEUR DE TV. COLOREZ LES APPLICATIONS DE RENDEMENT D | TOSHIBA |
| 55963 | 2SC5174 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur D'CÉtape D'CAmplificateur ET DE CONDUCTEUR DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 55964 | 2SC5175 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION. | TOSHIBA |
| 55965 | 2SC5176 | APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). APPLICATIONS du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
| 55966 | 2SC5177 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55967 | 2SC5177-T1 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55968 | 2SC5177-T2 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55969 | 2SC5178 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS Les 4-goupilles Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55970 | 2SC5178-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS Les 4-goupilles Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55971 | 2SC5178-T2 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS Les 4-goupilles Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55972 | 2SC5178R | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55973 | 2SC5178R-T1 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55974 | 2SC5178R-T2 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55975 | 2SC5179 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS PETIT Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55976 | 2SC5179-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS PETIT Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55977 | 2SC5179-T2 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS PETIT Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55978 | 2SC5180 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55979 | 2SC5180-T1 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55980 | 2SC5180-T2 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55981 | 2SC5181 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS ULTRA SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55982 | 2SC5181-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS ULTRA SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55983 | 2SC5182 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPS DANS Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55984 | 2SC5182-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPS DANS Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55985 | 2SC5182-T2 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPS DANS Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55986 | 2SC5183 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS Les 4-goupilles Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55987 | 2SC5183-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS Les 4-goupilles Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55988 | 2SC5183-T2 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS Les 4-goupilles Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55989 | 2SC518383R | TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPN | NEC |
| 55990 | 2SC518383R | TRANSISTOR EXTÉRIEUR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DU BÂTI NPN | NEC |
| 55991 | 2SC5183R | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55992 | 2SC5183R-T1 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55993 | 2SC5183R-T2 | Haut fT, transistor à gain élevé | NEC |
| 55994 | 2SC5184 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55995 | 2SC5184-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55996 | 2SC5184-T2 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55997 | 2SC5185 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55998 | 2SC5185-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 55999 | 2SC5185-T2 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 56000 | 2SC5186 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS ULTRA SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
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