|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1414 | 1415 | 1416 | 1417 | 1418 | 1419 | 1420 | 1421 | 1422 | 1423 | 1424 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
567212SC799TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
567222SC815HAUTE FRÉQUENCE DE BASSE FRÉQUENCE OSCILLAR D'AMPLIFICATEURUSHA India LTD
567232SC815HAUTE FRÉQUENCE DE BASSE FRÉQUENCE OSCILLAR D'AMPLIFICATEURUSHA India LTD
567242SC828Amplificateur de niveau bas et d'usage universelMicro Electronics
567252SC828Petits Transistors De Signal De Fréquence SonoreSemiconductor Technology
567262SC828APlanaire Épitaxial Du Silicium NPNUnknow
567272SC828APlanaire Épitaxial Du Silicium NPNUnknow
567282SC829Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autresPanasonic
567292SC838FM AMPÈRE PAR RADIO/MÉLANGE CONV/OSCILLATEUR SI AMPÈREEtron Tech
567302SC838Transistor. FM RF ampli, mélanger. conv, OSC, SI ampli. Tension collecteur-base = 35V VCBO. Tension collecteur-émetteur VCEO = 30V. Tension émetteur-base Vebo = 4V. Collector dissipation Pc (max) = 250 mW. Courant de collecteur IC = 30mUSHA India LTD
567312SC839FM/AM rf PAR RADIO ampère, conv, oscillateur, si ampèreUSHA India LTD
567322SC839FM/AM rf PAR RADIO ampère, conv, oscillateur, si ampèreUSHA India LTD
567332SC853TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
567342SC853TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
567352SC892TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
567362SC892TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
567372SC900AMPLIFICATEUR DE BASSE FRÉQUENCE ET BAS DE BRUITUSHA India LTD
567382SC900AMPLIFICATEUR DE BASSE FRÉQUENCE ET BAS DE BRUITUSHA India LTD



567392SC9011Transistor. Convertisseur AM, AM / FM SI de transistor amplificateur d'usage général. Tension collecteur-base VCBO = 60V. Tension collecteur-émetteur VCEO = 30V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 400 mW.USHA India LTD
567402SC9013AMPLIFICATEUR de RENDEMENT De 1W DES RADIOS POTABLES DANS L'OPÉRATION de la CLASSE B PUSH-PULLUSHA India LTD
567412SC9013AMPLIFICATEUR de RENDEMENT De 1W DES RADIOS POTABLES DANS L'OPÉRATION de la CLASSE B PUSH-PULLUSHA India LTD
567422SC9014PRÉAMPLIFICATEUR, NIVEAU BAS ET BAS BRUITUSHA India LTD
567432SC9014PRÉAMPLIFICATEUR, NIVEAU BAS ET BAS BRUITUSHA India LTD
567442SC9016TransistorsUSHA India LTD
567452SC9016TransistorsUSHA India LTD
567462SC9018AM/FM SI AMPLIFICATEUR, OSCILLATEUR LOCAL DE TUNER DE FM/VHFUSHA India LTD
567472SC9018AM/FM SI AMPLIFICATEUR, OSCILLATEUR LOCAL DE TUNER DE FM/VHFUSHA India LTD
567482SC908TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RFMitsubishi Electric Corporation
567492SC930Convertisseur de AM, Applications de FM RF.IF AmpèreSANYO
567502SC930Convertisseur de AM, Applications de FM RF.IF AmpèreSANYO
567512SC933NP2SC933NPSANYO
567522SC933NP2SC933NPSANYO
567532SC937RENDEMENT HORIZONTAL DE DÉBATTEMENT DE TRANSLESS TVUnknow
567542SC937RENDEMENT HORIZONTAL DE DÉBATTEMENT DE TRANSLESS TVUnknow
567552SC940Rendement Horizontal De Débattement de B/W TVUnknow
567562SC940Rendement Horizontal De Débattement de B/W TVUnknow
567572SC941TYPE DU SILICIUM NPN EPIITAXIAL DE TRANSISTORTOSHIBA
567582SC941-OTYPE DU SILICIUM NPN EPIITAXIAL DE TRANSISTORTOSHIBA
567592SC941-RTYPE DU SILICIUM NPN EPIITAXIAL DE TRANSISTORTOSHIBA
567602SC941-YTYPE DU SILICIUM NPN EPIITAXIAL DE TRANSISTORTOSHIBA
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1414 | 1415 | 1416 | 1417 | 1418 | 1419 | 1420 | 1421 | 1422 | 1423 | 1424 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com