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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
589612SJ0536Dispositif small-signal - FETS small-signal - FETS de MOSPanasonic
589622SJ0536GSilicon-MOSFET canal PPanasonic
589632SJ0582Dispositif De Puissance - FETS de MOS De PuissancePanasonic
589642SJ0672Dispositif small-signal - FETS small-signal - FETS de MOSPanasonic
589652SJ0674Le silicium P-MOS FET canalPanasonic
589662SJ0674GLe silicium P-MOS FET canalPanasonic
589672SJ0675Silicon-MOSFET canal PPanasonic
589682SJ103Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédanceTOSHIBA
589692SJ104Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédanceTOSHIBA
589702SJ105Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédanceTOSHIBA
589712SJ106Applications Courantes Constantes De Convertisseur D'Impédance D'Applications D'Applications Analogues De Commutateur D'Applications D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type De Jonction De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet dTOSHIBA
589722SJ107Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédanceTOSHIBA
589732SJ108Applications Audio D'Amplificateur De Bas Bruit De Type De Jonction De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
589742SJ109TYPE De JONCTION De P CAHNNEL (APPLICATIONS D'cAmplificateur AUDIO De BAS BRUIT/AMPLIFICATEUR DIFFÉRENTIEL)TOSHIBA
589752SJ113FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELHitachi Semiconductor
589762SJ113FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELHitachi Semiconductor
589772SJ115FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELUnknow
589782SJ115FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELUnknow



589792SJ116FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELHitachi Semiconductor
589802SJ116FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELHitachi Semiconductor
589812SJ117FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
589822SJ118FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELUnknow
589832SJ118FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELUnknow
589842SJ119FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELUnknow
589852SJ119FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNELUnknow
589862SJ125150mW SMD J-FET (transistor à effet de champ), note maximale: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 à -12 mA Idss.Isahaya Electronics Corporation
589872SJ128Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOSNEC
589882SJ128-ZTransistor de puissance d'effet de champ électrique de MOSNEC
589892SJ130FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
589902SJ130(L)commutation de puissance MOSFETHitachi Semiconductor
589912SJ130(L)/(S)FET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
589922SJ130(S)commutation de puissance MOSFETHitachi Semiconductor
589932SJ130LFET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
589942SJ130LTransistors&gt;Switching/MOSFETsRenesas
589952SJ130SFET de MOS De P-Canal De SiliciumHitachi Semiconductor
589962SJ130STransistors&gt;Switching/MOSFETsRenesas
589972SJ132Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOSNEC
589982SJ132-ZTransistor de puissance d'effet de champ électrique de MOSNEC
589992SJ133Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOSNEC
590002SJ133-ZTransistor de puissance d'effet de champ électrique de MOSNEC
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