Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
58961 | 2SJ0536 | Dispositif small-signal - FETS small-signal - FETS de MOS | Panasonic |
58962 | 2SJ0536G | Silicon-MOSFET canal P | Panasonic |
58963 | 2SJ0582 | Dispositif De Puissance - FETS de MOS De Puissance | Panasonic |
58964 | 2SJ0672 | Dispositif small-signal - FETS small-signal - FETS de MOS | Panasonic |
58965 | 2SJ0674 | Le silicium P-MOS FET canal | Panasonic |
58966 | 2SJ0674G | Le silicium P-MOS FET canal | Panasonic |
58967 | 2SJ0675 | Silicon-MOSFET canal P | Panasonic |
58968 | 2SJ103 | Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédance | TOSHIBA |
58969 | 2SJ104 | Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédance | TOSHIBA |
58970 | 2SJ105 | Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédance | TOSHIBA |
58971 | 2SJ106 | Applications Courantes Constantes De Convertisseur D'Impédance D'Applications D'Applications Analogues De Commutateur D'Applications D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type De Jonction De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet d | TOSHIBA |
58972 | 2SJ107 | Type de jonction de la Manche du silicium P de transistor à effet de champ pour l'amplificateur audio, le commutateur analogue, le courant constant et les applications de convertisseur d'impédance | TOSHIBA |
58973 | 2SJ108 | Applications Audio D'Amplificateur De Bas Bruit De Type De Jonction De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
58974 | 2SJ109 | TYPE De JONCTION De P CAHNNEL (APPLICATIONS D'cAmplificateur AUDIO De BAS BRUIT/AMPLIFICATEUR DIFFÉRENTIEL) | TOSHIBA |
58975 | 2SJ113 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58976 | 2SJ113 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58977 | 2SJ115 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Unknow |
58978 | 2SJ115 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Unknow |
58979 | 2SJ116 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58980 | 2SJ116 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
58981 | 2SJ117 | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
58982 | 2SJ118 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Unknow |
58983 | 2SJ118 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Unknow |
58984 | 2SJ119 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Unknow |
58985 | 2SJ119 | FET DE MOS DU SILICIUM P-CHANNEL | Unknow |
58986 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (transistor à effet de champ), note maximale: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 à -12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
58987 | 2SJ128 | Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOS | NEC |
58988 | 2SJ128-Z | Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOS | NEC |
58989 | 2SJ130 | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
58990 | 2SJ130(L) | commutation de puissance MOSFET | Hitachi Semiconductor |
58991 | 2SJ130(L)/(S) | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
58992 | 2SJ130(S) | commutation de puissance MOSFET | Hitachi Semiconductor |
58993 | 2SJ130L | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
58994 | 2SJ130L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
58995 | 2SJ130S | FET de MOS De P-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
58996 | 2SJ130S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
58997 | 2SJ132 | Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOS | NEC |
58998 | 2SJ132-Z | Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOS | NEC |
58999 | 2SJ133 | Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOS | NEC |
59000 | 2SJ133-Z | Transistor de puissance d'effet de champ électrique de MOS | NEC |
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