| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601121 | K5D5657ACM-F015 | 256Mb non-et et 256Mb SDRAM mobile | Samsung Electronic |
| 601122 | K5N07FM | öOMNIFETö: ENTIÈREMENT TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE D'CAutoprotected | SGS Thomson Microelectronics |
| 601123 | K5P2880YCM | Bit Instantané 1Mx8/512Kx16 Plein CMOS SRAM De la Mémoire De Non-et Du Bit 16Mx8 de la MÉMOIRE 128M De Paquet De Multi-Morceau/8M | Samsung Electronic |
| 601124 | K5P2880YCM - T085 | Mémoire Instantanée De Non-et Du Bit De 128M (16Mx8)/Fiche technique | Samsung Electronic |
| 601125 | K5P2880YCM-T085 | 128M bit (16Mx8) mémoire flash NAND / 8M bits (1Mx8 / 512Kx16) CMOS plein SRAM | Samsung Electronic |
| 601126 | K5P6480YCM - T085 | Mémoire Instantanée De Non-et Du Bit De 64M (8Mx8)/Fiche technique | Samsung Electronic |
| 601127 | K5Q6432YCM - T010 | De 64M De Bit Pleine CMOS Fiche technique Statique de RAM De la Tension | Samsung Electronic |
| 601128 | K5T6432YBM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours banques ni Mémoire Flash / 32Mbit (2Mx16) Utram, 100ns | Samsung Electronic |
| 601129 | K5T6432YT | Le Bit 4Mx16 Quatre de la MÉMOIRE 64M De Paquet De Multi-Morceau Encaissent NI Clignotent Le Bit 2Mx16 UtRAM De la Mémoire/32M | Samsung Electronic |
| 601130 | K5T6432YTM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours banques ni Mémoire Flash / 32Mbit (2Mx16) Utram, 100ns | Samsung Electronic |
| 601131 | K621 | GENOU POINTU DE DIODES ZENER DE NIVEAU BAS, BASSE IMPÉDANCE | Knox Semiconductor Inc |
| 601132 | K64004C1D | Charge statique À grande vitesse RAM(5.0v Du Peu 1Mx4 Fonctionnant). Fonctionné aux températures ambiantes commerciales et industrielles. | Samsung Electronic |
| 601133 | K681 | GENOU POINTU DE DIODES ZENER DE NIVEAU BAS, BASSE IMPÉDANCE | Knox Semiconductor Inc |
| 601134 | K6E0808C1C | 32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS | Samsung Electronic |
| 601135 | K6E0808C1C-12 | 32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS | Samsung Electronic |
| 601136 | K6E0808C1C-15 | 32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS | Samsung Electronic |
| 601137 | K6E0808C1C-20 | 32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS | Samsung Electronic |
| 601138 | K6E0808C1C-C | 32Kx8 RAM À grande vitesse De Charge statique Du Peu CMOS | Samsung Electronic |
| 601139 | K6E0808C1E | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601140 | K6E0808C1E-C | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601141 | K6E0808C1E-C10 | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601142 | K6E0808C1E-C12 | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601143 | K6E0808C1E-C15 | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601144 | K6E0808C1E-I | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601145 | K6E0808C1E-I10 | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601146 | K6E0808C1E-I12 | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601147 | K6E0808C1E-I15 | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601148 | K6E0808C1E-L | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601149 | K6E0808C1E-P | 32K X RAM à grande vitesse de charge statique de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
| 601150 | K6EB-110V | K-relais. Spécialement conçu relais. 6 forme de tension C. Bobine 110 V DC. Plug-in et de la soudure. Relais à haute sensibilité. Ambre de type étanche. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| 601151 | K6F1008V2C | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601152 | K6F1008V2C-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601153 | K6F1008V2C-YF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601154 | K6F1008V2C-YF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 128Kx8 et de basse tension CMOS | Samsung Electronic |
| 601155 | K6F1016U4C-EF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 64K x16 etde basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601156 | K6F1016U4C-EF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 64K x16 etde basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601157 | K6F1616R6M FAMILY | 1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601158 | K6F1616T6B | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601159 | K6F1616T6B-EF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601160 | K6F1616T6B-EF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
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