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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
881761MJE15032Transistor, puissance NPN, conducteur d'audoON Semiconductor
881762MJE1503250.000W usage général NPN Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 8.000A Ic, 50 HFE -Continental Device India Limited
881763MJE15032-DTransistors De Puissance En plastique De Silicium ComplémentaireON Semiconductor
881764MJE150338,0 AMPÈRES DE PUISSANCE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE TRANSISTORS 250 VOLTS 50 WATTSMotorola
881765MJE1503350.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 8.000A Ic, 50 HFE -Continental Device India Limited
881766MJE15033Gratuit Silicon plastique des transistors de puissanceON Semiconductor
881767MJE15034Transistor, Puissance De NPN, Conducteur AudioON Semiconductor
881768MJE15035Transistor, Puissance De PNP, Conducteur AudioON Semiconductor
881769MJE16002PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 450v, 80w)MOSPEC Semiconductor
881770MJE16002TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE 5,0 AMPÈRES NPN 450 VOLTS 80 WATTSMotorola
881771MJE160025 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.General Electric Solid State
881772MJE16002-DTransistors De Puissance De Silicium De la Série NPN de SWITCHMODEON Semiconductor
881773MJE16004PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 450v, 80w)MOSPEC Semiconductor
881774MJE16004TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE 5,0 AMPÈRES NPN 450 VOLTS 80 WATTSMotorola
881775MJE160045 transistor de puissance Une SwitchMax II. Haute tension type NPN.General Electric Solid State
881776MJE16106TRANSISTORS DE PUISSANCE 8 AMPÈRES 400 VOLTS 100 ET 125 WATTSMotorola
881777MJE16204TRANSISTORS DE PUISSANCE 6,0 AMPÈRES 550 VOLTS -. VCES 45 ET 80 WATTSMotorola
881778MJE16204-DTransistor bipolaire de débattement de puissance de SCANSWITCH NPN pour la haute et les TRANSISTORS de PUISSANCE très de haute résolution de moniteurs à 45 et 80 watts 550 voltsON Semiconductor



881779MJE170Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881780MJE170PUISSANCE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w)MOSPEC Semiconductor
881781MJE170Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
881782MJE17012.500W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 40V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881783MJE170-60 V, -3 A, le transistor PNP épitaxiale de siliciumSamsung Electronic
881784MJE170STUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881785MJE171Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881786MJE171PUISSANCE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w)MOSPEC Semiconductor
881787MJE171SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 3 D'CAmpère TRANSISTORS DE PUISSANCE 60-80 VOLTS 12,5 WATTSMotorola
881788MJE171Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
881789MJE171Puissance Á 60V PNPON Semiconductor
881790MJE17112.500W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE.Continental Device India Limited
881791MJE171-80 V, A -1, transistor PNP épitaxiale de siliciumSamsung Electronic
881792MJE171-DTransistors De Puissance En plastique Complémentaires De Silicium NPNON Semiconductor
881793MJE171STUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881794MJE172Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881795MJE172TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
881796MJE172TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
881797MJE172TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
881798MJE172PUISSANCE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w)MOSPEC Semiconductor
881799MJE172SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 3 D'CAmpère TRANSISTORS DE PUISSANCE 60-80 VOLTS 12,5 WATTSMotorola
881800MJE172Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
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