| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 881801 | MJE172 | Puissance Á 80V PNP | ON Semiconductor |
| 881802 | MJE172 | 12.500W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881803 | MJE172 | -100 V, A -1, transistor PNP épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 881804 | MJE172STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881805 | MJE180 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881806 | MJE180 | PUISSANCE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881807 | MJE180 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881808 | MJE180 | 12.500W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 40V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881809 | MJE180 | 60 V, 3 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 881810 | MJE18002 | TRANSISTOR de PUISSANCE 2,0 AMPÈRES 1000 VOLTS 25 et 50 WATTS | Motorola |
| 881811 | MJE18002 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881812 | MJE18002-D | Transistor De Puissance Bipolaire de SWITCHMODE NPN Pour Des Applications D'Alimentation D'Énergie De Commutation | ON Semiconductor |
| 881813 | MJE18002D2 | TRANSISTORS DE PUISSANCE 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTS | Motorola |
| 881814 | MJE18002D2 | Haut débit, High Gain bipolaire NPN transistor de puissance intégré avec collecteur-émetteur Diode et intégré efficace Antisaturation réseau | ON Semiconductor |
| 881815 | MJE18002D2-D | Transistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et TRANSISTORS de PUISSANCE efficaces intégrés de réseau d'Antisaturation 2 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 WATTS | ON Semiconductor |
| 881816 | MJE18004 | TRANSISTOR de PUISSANCE 5,0 AMPÈRES 1000 VOLTS 35 et 75 WATTS | Motorola |
| 881817 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881818 | MJE18004 | Switchmode™ | ON Semiconductor |
| 881819 | MJE18004-D | Transistor De Puissance Bipolaire de SWITCHMODE NPN Pour Des Applications D'Alimentation D'Énergie De Commutation | ON Semiconductor |
| 881820 | MJE18004D2 | TRANSISTORS DE PUISSANCE 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
| 881821 | MJE18004D2 | Transistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et Antisaturation efficace intégré... | ON Semiconductor |
| 881822 | MJE18004D2 | Transistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et Antisaturation efficace intégré... | ON Semiconductor |
| 881823 | MJE18004D2-D | Transistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et TRANSISTORS de PUISSANCE efficaces intégrés de réseau d'Antisaturation 5 AMPÈRES 1000 VOLTS 75 WATTS | ON Semiconductor |
| 881824 | MJE18006 | TRANSISTOR de PUISSANCE 6,0 AMPÈRES 1000 VOLTS 40 et 100 WATTS | Motorola |
| 881825 | MJE18006 | Puissance Å 450V NPN | ON Semiconductor |
| 881826 | MJE18006-D | Transistor De Puissance Bipolaire de SWITCHMODE NPN Pour Des Applications D'Alimentation D'Énergie De Commutation | ON Semiconductor |
| 881827 | MJE18008 | TRANSISTOR de PUISSANCE 8,0 AMPÈRES 1000 VOLTS 45 et 125 WATTS | Motorola |
| 881828 | MJE18008 | SWITCHMODE™ Transistor De Puissance Bipolaire de NPN Pour Des Applications D'Alimentation D'Énergie De Commutation | ON Semiconductor |
| 881829 | MJE18008-D | Transistor De Puissance Bipolaire de SWITCHMODE NPN Pour Des Applications D'Alimentation D'Énergie De Commutation | ON Semiconductor |
| 881830 | MJE18009 | TRANSISTORS de PUISSANCE 10 AMPÈRES 1000 VOLTS 50 et 150 WATTS | Motorola |
| 881831 | MJE18009-D | Transistor De Puissance Planaire De Silicium de SWITCHMODE NPN | ON Semiconductor |
| 881832 | MJE180STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881833 | MJE181 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881834 | MJE181 | PUISSANCE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881835 | MJE181 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DE 3 D'CAmpère TRANSISTORS DE PUISSANCE 60-80 VOLTS 12,5 WATTS | Motorola |
| 881836 | MJE181 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881837 | MJE181 | Puissance Á 60V NPN | ON Semiconductor |
| 881838 | MJE181 | 12.500W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881839 | MJE181 | 60 V, 3 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 881840 | MJE181STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
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