| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 881961 | MJE3055T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881962 | MJE3055T | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881963 | MJE3055T | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | Wing Shing Computer Components |
| 881964 | MJE3055T | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 10 AMPÈRES 60 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
| 881965 | MJE3055T | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881966 | MJE3055T | Puissance 10A 60V NPN Discret | ON Semiconductor |
| 881967 | MJE3055T | Transistor De Puissance En plastique de NPN | Continental Device India Limited |
| 881968 | MJE3055T | 70 V, 10 transistor de silicium A, NPN | Samsung Electronic |
| 881969 | MJE3055T | NPN, le transistor de puissance plastique de silicium. Conçu pour la commutation d'usage général et de l'application de l'amplificateur. VCEO (SUS) = 60 V cc, Vcb = 70Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 10 Adc, Pd = 75W. | USHA India LTD |
| 881970 | MJE3055TTU | Transistor De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881971 | MJE340 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881972 | MJE340 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 881973 | MJE340 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE COMPLEMETARY | SGS Thomson Microelectronics |
| 881974 | MJE340 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881975 | MJE340 | SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE 0,5 AMPÈRES NPN 300 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 881976 | MJE340 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881977 | MJE340 | Transistor Moyen En plastique De Silicium De la Puissance NPN | ON Semiconductor |
| 881978 | MJE340 | 20.000W haute tension NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30-240 hFE. MJE350 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 881979 | MJE340 | 300 V, 500 A, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 881980 | MJE340-D | Transistor Moyen En plastique De Silicium De la Puissance NPN | ON Semiconductor |
| 881981 | MJE340STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881982 | MJE341 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE DE 0,5 AMPÈRES NPN 150-200 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 881983 | MJE341 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881984 | MJE3439 | SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE 0,3 AMPÈRES NPN 350 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881985 | MJE3439 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881986 | MJE3439 | Ç$a 350V NPN De Puissance | ON Semiconductor |
| 881987 | MJE3439-D | Transistors De Puissance À haute tension De Silicium de NPN | ON Semiconductor |
| 881988 | MJE344 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE DE 0,5 AMPÈRES NPN 150-200 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 881989 | MJE344 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881990 | MJE344 | Ç$a 200V NPN De Puissance | ON Semiconductor |
| 881991 | MJE344-D | Transistor En plastique De Milieu-Puissance De Silicium de NPN | ON Semiconductor |
| 881992 | MJE3440 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN | ST Microelectronics |
| 881993 | MJE3440 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881994 | MJE3440 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 881995 | MJE350 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881996 | MJE350 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 881997 | MJE350 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 881998 | MJE350 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE COMPLEMETARY | SGS Thomson Microelectronics |
| 881999 | MJE350 | SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE 0,5 AMPÈRES PNP 300 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 882000 | MJE350 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
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