| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 911801 | MTB10062-G | Rangée Bicolore De Lampe de LED | Marktech Optoelectronics |
| 911802 | MTB10062-HR | Rangée Bicolore De Lampe de LED | Marktech Optoelectronics |
| 911803 | MTB10062-HRG | Rangée Bicolore De Lampe de LED | Marktech Optoelectronics |
| 911804 | MTB10631-GYHR | LED Standard | Marktech Optoelectronics |
| 911805 | MTB10N40E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 10 AMPÈRES | Motorola |
| 911806 | MTB10N40E | 10 Amp D2PAK montage en surface, les produits N-Channel, VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 911807 | MTB10N40E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 911808 | MTB10N60E7 | TMOS 7 E-fet™ FET De Puissance D'Énergie Élevée | ON Semiconductor |
| 911809 | MTB10N60E7-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal de FET De Puissance De l'Énergie E-FET Élevée de TMOS 7 | ON Semiconductor |
| 911810 | MTB10N60E7T4 | TMOS 7 E-fet™ FET De Puissance D'Énergie Élevée | ON Semiconductor |
| 911811 | MTB1306 | FET DE PUISSANCE DE TMOS 75 AMPÈRES | Motorola |
| 911812 | MTB1306 | VIEILLI - MOSFET de puissance 75 ampères, 30 volts, de niveau logique | ON Semiconductor |
| 911813 | MTB1306-D | Transistor MOSFET De Puissance 75 Ampères, 30 Volts, N-Canal De niveau D2PAK De Logique | ON Semiconductor |
| 911814 | MTB15N06E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 15 AMPÈRES | Motorola |
| 911815 | MTB15N06V | FET DE PUISSANCE DE TMOS 15 AMPÈRES | Motorola |
| 911816 | MTB15N06V | 15 A D2PAK MOSFET canal N, VDSS 60 | ON Semiconductor |
| 911817 | MTB15N06V-D | Transistor à effet de champ de puissance de TMOS V D2PAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 911818 | MTB16N25E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 16 AMPÈRES | Motorola |
| 911819 | MTB16N25E | 16 Amp D2PAK montage en surface, les produits N-Channel, VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 911820 | MTB16N25E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour le bâti extérieur | ON Semiconductor |
| 911821 | MTB1N100E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 1,0 AMPÈRES 1000 VOLTS | Motorola |
| 911822 | MTB20N20E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 20 AMPÈRES 200 VOLTS | Motorola |
| 911823 | MTB20N20E | VIEILLI - MOSFET de puissance 20 ampères, 200 volts | ON Semiconductor |
| 911824 | MTB20N20E-D | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 200 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 911825 | MTB23P06 | FET DE PUISSANCE DE TMOS 23 AMPÈRES 60 VOLTS | Motorola |
| 911826 | MTB23P06E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 23 AMPÈRES 60 VOLTS | Motorola |
| 911827 | MTB23P06V | FET DE PUISSANCE DE TMOS 23 AMPÈRES 60 VOLTS | Motorola |
| 911828 | MTB23P06V | Transistor MOSFET De Puissance 23 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 911829 | MTB23P06V-D | Transistor MOSFET De Puissance 23 Ampères, 60 Volts De P-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 911830 | MTB23P06VT4 | Transistor MOSFET De Puissance 23 Ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
| 911831 | MTB24 | Petit Paquet Moulé Par 24-Lead D'Ensemble De Rétrécissement Mince | National Semiconductor |
| 911832 | MTB29N15E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 29 AMPÈRES 150 VOLTS | Motorola |
| 911833 | MTB29N15E | Transistor MOSFET De Puissance 29 Ampères, 150 Volts | ON Semiconductor |
| 911834 | MTB29N15E-D | Transistor MOSFET De Puissance 29 Ampères, 150 Volts De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 911835 | MTB29N15ET4 | Transistor MOSFET De Puissance 29 Ampères, 150 Volts | ON Semiconductor |
| 911836 | MTB2N40E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 2,0 AMPÈRES 400 VOLTS | Motorola |
| 911837 | MTB2N40E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 911838 | MTB2N60E | FET DE PUISSANCE DE TMOS 2,0 AMPÈRES 600 VOLTS | Motorola |
| 911839 | MTB2N60E | N-Channel Enhancement Mode Silicon porte | ON Semiconductor |
| 911840 | MTB2N60E-D | FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
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