| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 912201 | MTD6N10 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE, PORTE DE SILICIUM DEN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, DPAK POUR LE BÂTI EXTÉRIEUR OU LE BÂTID'INSERTION | Motorola |
| 912202 | MTD6N10E | FET de PUISSANCE de TMOS 6,0 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,400 OHMS | Motorola |
| 912203 | MTD6N10E | 6 Amp DPAK montage en surface, les produits N-Channel, VDSS 100 | ON Semiconductor |
| 912204 | MTD6N10E-D | Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 912205 | MTD6N15 | FET de PUISSANCE de TMOS 6,0 AMPÈRES 150 VOLTS De RDS(on) = 0,3 OHMS | Motorola |
| 912206 | MTD6N15 | 3R De la Puissance 150V de TMOS | ON Semiconductor |
| 912207 | MTD6N15-D | Transistor à effet de champ de puissance DPAK pour la porte desilicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
| 912208 | MTD6N15T4 | 3R De la Puissance 150V de TMOS | ON Semiconductor |
| 912209 | MTD6N15T4G | 3R De la Puissance 150V de TMOS | ON Semiconductor |
| 912210 | MTD6N20E | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 200 Volts | ON Semiconductor |
| 912211 | MTD6N20E-D | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 200 Volts De N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 912212 | MTD6N20ET4 | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 200 Volts | ON Semiconductor |
| 912213 | MTD6N20ET4G | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 200 Volts | ON Semiconductor |
| 912214 | MTD6P10E | FET de PUISSANCE de TMOS 6,0 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,66 OHMS | Motorola |
| 912215 | MTD6P10E | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 100 Volts | ON Semiconductor |
| 912216 | MTD6P10E-D | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 100 Volts De P-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 912217 | MTD6P10EG | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 100 Volts | ON Semiconductor |
| 912218 | MTD6P10ET4 | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 100 Volts | ON Semiconductor |
| 912219 | MTD6P10ET4G | Transistor MOSFET De Puissance 6 Ampères, 100 Volts | ON Semiconductor |
| 912220 | MTD7030 | DIODE DE PHOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912221 | MTD7030A | DIODE DE PHOTO | Marktech Optoelectronics |
| 912222 | MTD800 | Contrôleur intégré Fast Ethernet | MYSON TECHNOLOGY |
| 912223 | MTD8000N | Détecteurs De Photo | Marktech Optoelectronics |
| 912224 | MTD8000NW | Détecteurs De Photo | Marktech Optoelectronics |
| 912225 | MTD8000P | Détecteurs De Photo | Marktech Optoelectronics |
| 912226 | MTD8N06E | FET de PUISSANCE de TMOS 8,0 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,12 OHMS | Motorola |
| 912227 | MTD907 | Ethernet codeur / décodeur 10 et l'émetteur-récepteur baseT | MYSON TECHNOLOGY |
| 912228 | MTD981AF | 10/100 Ethernet transceiver | MYSON TECHNOLOGY |
| 912229 | MTD981AG | 10/100 Ethernet transceiver | MYSON TECHNOLOGY |
| 912230 | MTD9N10E | FET de PUISSANCE de TMOS 9,0 AMPÈRES 100 VOLTS De RDS(on) = 0,25 OHMS | Motorola |
| 912231 | MTD9N10E | VIEILLI - MOSFET de puissance 9 ampères, 100 volts | ON Semiconductor |
| 912232 | MTD9N10E-D | Transistor MOSFET De Puissance 9 Ampères, 100 Volts De N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 912233 | MTDF1C02HD | FET DUEL COMPLÉMENTAIRE DE PUISSANCE DE TMOS | Motorola |
| 912234 | MTDF1C02HD | MOSFET de puissance 1 Amp, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 912235 | MTDF1C02HD-D | Transistor MOSFET De Puissance 1 Ampère, 20 Volts De Micro8 Complémentaire | ON Semiconductor |
| 912236 | MTDF1N02HD | Transistor MOSFET DUEL de PUISSANCE de TMOS 1,7 AMPÈRES 20 VOLTS De RDS(on) = 0,120 OHMS | Motorola |
| 912237 | MTDF1N02HD | MOSFET de puissance 1 Amp, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 912238 | MTDF1N02HD-D | Transistor MOSFET De Puissance 1 Ampère, 20 Volts De N-Canal Micro8, Duel | ON Semiconductor |
| 912239 | MTDF1N03HD | Transistor MOSFET DUEL de PUISSANCE de TMOS 2,0 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,120 OHMS | Motorola |
| 912240 | MTDF1N03HD | MOSFET de puissance 1 Amp, 30 Volts | ON Semiconductor |
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