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Les fiches techniques ont trouvé :: 2083

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
1851	CSD1133B	40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE.	Continental Device India Limited
1852	CSD1133C	40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 hFE.	Continental Device India Limited
1853	CSD1133D	40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE.	Continental Device India Limited
1854	CSD1134	40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE.	Continental Device India Limited
1855	CSD1134B	40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE.	Continental Device India Limited
1856	CSD1134C	40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 hFE.	Continental Device India Limited
1857	CSD1134D	40.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE.	Continental Device India Limited
1858	CSD1306	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1859	CSD1306	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1860	CSD1306D	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1861	CSD1306D	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1862	CSD1306E	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1863	CSD1306E	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1864	CSD1306F	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1865	CSD1306F	TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1866	CSD1426F	Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P	Continental Device India Limited
1867	CSD1426F	Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P	Continental Device India Limited
1868	CSD1489	TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1869	CSD1489	TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN	Continental Device India Limited
1870	CSD1489B	0.750W usage général NPN Transistor plastique plomb. 16V VCEO, 2.000A Ic, 100 - 500 hFE	Continental Device India Limited
1871	CSD1506	10.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56-390 hFE. CSB1065 complémentaire	Continental Device India Limited
1872	CSD1506N	10.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 56-120 hFE. CSB1065N complémentaire	Continental Device India Limited
1873	CSD1506P	10.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 82-180 hFE. CSB1065P complémentaire	Continental Device India Limited
1874	CSD1506Q	10.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 120-270 hFE. CSB1065Q complémentaire	Continental Device India Limited
1875	CSD1506R	10.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 180-390 hFE. CSB1065R complémentaire	Continental Device India Limited
1876	CSD1616	0.750W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135-600 hFE.	Continental Device India Limited
1877	CSD1616G	0.750W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFE.	Continental Device India Limited
1878	CSD1616L	0.750W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 1.000A Ic, 300-600 hFE.	Continental Device India Limited
1879	CSD1616Y	0.750W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 1.000A Ic, 135-270 hFE.	Continental Device India Limited

1880	CSD1638	1.200W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 2.000A Ic, 1-10000 hFE.	Continental Device India Limited
1881	CSD1833	2.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 7.000A Ic, 60-320 hFE.	Continental Device India Limited
1882	CSD2470	0.400W usage général NPN Transistor plastique plomb. 10V VCEO, 5.000A Ic, 270-820 hFE	Continental Device India Limited
1883	CSD288	25.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 55V VCEO, 3.000A Ic, 40-240 hFE.	Continental Device India Limited
1884	CSD313	30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40-320 hFE.	Continental Device India Limited
1885	CSD313C	30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 - 80 hFE.	Continental Device India Limited
1886	CSD313D	30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE.	Continental Device India Limited
1887	CSD313E	30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE.	Continental Device India Limited
1888	CSD313F	30.000W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE.	Continental Device India Limited
1889	CSD362	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20-140 hFE.	Continental Device India Limited
1890	CSD362N	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 20-50 hFE.	Continental Device India Limited
1891	CSD362O	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 70-140 hFE.	Continental Device India Limited
1892	CSD362R	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 5.000A Ic, 40 - 80 hFE.	Continental Device India Limited
1893	CSD363	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40-240 hFE.	Continental Device India Limited
1894	CSD363O	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 70-140 hFE.	Continental Device India Limited
1895	CSD363R	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 40 - 80 hFE.	Continental Device India Limited
1896	CSD363Y	40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 6.000A Ic, 120-240 hFE.	Continental Device India Limited
1897	CSD401	25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40-400 hFE. Complémentaire CSB546	Continental Device India Limited
1898	CSD401G	25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 200-400 hFE. CSB546G complémentaire	Continental Device India Limited
1899	CSD401O	25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 70-140 hFE. CSB546O complémentaire	Continental Device India Limited
1900	CSD401R	25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 40 - 80 hFE. CSB546R complémentaire	Continental Device India Limited

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