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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SC3581 construit près: |
900mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 50V VCEO, 400mA Ic, 90-500 hFE. 2SA1399 complémentaire | Téléchargement 2SC3581 datasheet de Isahaya Electronics Corporation |
pdf 123 kb |
2SC3580 | Vue 2SC3581 à notre catalogue | 2SC3582 |