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2SK2880 construit près: |
450mW plomb Cadre J-FET (transistor à effet de champ), note maximale: -50V Vgdo, 10mA Ig, de 0,3 à 12 mA Idss. | Téléchargement 2SK2880 datasheet de Isahaya Electronics Corporation |
pdf 119 kb |
2SK2879-01 | Vue 2SK2880 à notre catalogue | 2SK2881 |