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BF1009S construit près: |
Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=9v, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet sur demande D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BF1009SR, |
Téléchargement BF1009S datasheet de Infineon |
pdf 255 kb |
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Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé intégré par 9V de tension de fonctionnement de 1GHz) D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: Q62702-F1628, |
Téléchargement BF1009S datasheet de Siemens |
pdf 56 kb |
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Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium pour... | Téléchargement BF1009S datasheet de Infineon |
pdf 92 kb |
BF1009 | Vue BF1009S à notre catalogue | BF1009SR |