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| CSB631E construit près: | 
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 | 8.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 100 - 200 hFE. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: CSB631KE, CSB631KF, CSB631KD, CSB631K, CSB631F, |
Téléchargement CSB631E datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 129 kb |
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