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IRFF133 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 7.0A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF132, IRFF131, IRFF130, |
Téléchargement IRFF133 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
IRFF132 | Vue IRFF133 à notre catalogue | IRFF210 |