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| K4E160412D-B construit près: | 
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 | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E170411D-F, K4E170412D-F, K4E170412D-B, K4E160411D-B, K4E160411D-F, |
Téléchargement K4E160412D-B datasheet de Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
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