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K4E640812E construit près: |
RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E660812E-JC/L, K4E640812E-JC/L, K4E660812E-TC/L, K4E660812E, K4E640812E-TC/L, |
Téléchargement K4E640812E datasheet de Samsung Electronic |
pdf 194 kb |
K4E640812C-TCL-6 | Vue K4E640812E à notre catalogue | K4E640812E-JC/L |