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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
K4R271669B-NCK8 construit près: |
256K x 16 x 32s banques RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq .: 800 MHz D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4R271869B-MCK7, K4R271669B-MCG6, K4R271869B-NCK8, K4R271869B-NCK7, K4R271869B-NCG6, |
Téléchargement K4R271669B-NCK8 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 310 kb |
K4R271669B-NCK7 | Vue K4R271669B-NCK8 à notre catalogue | K4R271669D |