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| K6R1008V1D-TC10 construit près: | 
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 | peu 256Kx4 (avec OE) CMOS à grande vitesse RAM(5.0V statique fonctionnant). D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K6R1016C1D-KC10, K6R1004V1D-JI10, K6R1004V1D-KC08, K6R1004V1D-KC10, K6R1004V1D-KI08, |
Téléchargement K6R1008V1D-TC10 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 190 kb |
| K6R1008V1D-TC08 | Vue K6R1008V1D-TC10 à notre catalogue | K6R1008V1D-TI08 |