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| K6R1016V1C-I10 construit près: | 
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 | 64Kx16 opération statique à grande vitesse du peu CMOS RAM(3.3v) actionnée aux températures ambiantes commerciales et industrielles. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K6R1016V1C-C10, K6R1016V1C-C12, K6R1016V1C-C15, K6R1016V1C, K6R1016V1C-C20, |
Téléchargement K6R1016V1C-I10 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 309 kb |
| K6R1016V1C-C20 | Vue K6R1016V1C-I10 à notre catalogue | K6R1016V1C-I12 |